[发明专利]排气装置、包括该排气装置的基板处理装置以及排气方法

说明书

技术领域

本发明涉及排气装置和方法，具体涉及收集气体内的反应副产物的排气装置和方法。

背景技术

为了制造半导体，必须伴随有使用光致抗蚀剂(photoresist)的平版印刷(lithography)工序。光致抗蚀剂由可以对光产生感应的有机高分子或感光剂和高分子的混合物构成，经过曝光和溶解过程后，在基板上形成图案的光致抗蚀剂，在对基板和基板上的膜进行蚀刻的过程中，把图案转印到基板上。把这样的高分子称为光致抗蚀剂，并把使用光源在基板上形成细微图案的工序称为平版印刷工序。

在这种半导体制造工序中，光致抗蚀剂在基板上形成线或空隙(space)图案等各种细微电路图案，或在离子注入(ion implantation)工序中作为掩膜使用，它主要通过灰化(ashing)工序从基板上去除。

在一般使用的灰化工序中，在把晶片放置在高温(200～300℃)加热的加热器卡盘上的状态下，使氧等离子体与光致抗蚀剂反应，去除光致抗蚀剂。主要使用氧气(O₂)作为反应气体，为了提高灰化效率，也可以混合使用其他的气体。

灰化工序在与外部隔开的处理室内进行，灰化工序时产生的反应气体和未反应气体以及反应副产物等，通过连接在处理室上的排气管道排到外部。排气管道不仅排出反应副产物等，而且还具有调节处理室内的工艺压力的功能。

可是，现有的排气管道存在几个问题。即，在排气管道内部流动的反应副产物等累积在排气管道内壁上，妨碍排出气体的流动，或累积在开关排气管道的阀门上，引起阀门的误动作。

发明内容

鉴于所述的问题，本发明的目的是提供一种可以去除存在于排气管道内的反应副产物的排气装置和排气方法。

本发明另外的目的是提供一种容易去除排气管道内的反应副产物的排气装置和排气方法。

为了实现所述的目的，本发明的排气装置包括：排气管道，连接在处理室上，把所述处理室内的反应副产物排出；容器形状的收集筒，连接到在所述排气管道的侧壁上形成的排出口上，收集所述排气管道内的反应副产物；以及紧固构件，连接在所述收集筒上，并把所述收集筒连接在所述排出口上。

所述紧固构件可以是从所述收集筒的外壁沿所述收集筒的半径方向延伸的法兰盘。

所述装置还可以包括夹在所述排气管道和所述紧固构件之间的密封构件。

另一方面，所述排气管道包括：第一排气管道，连接在所述处理室上，基本与地面垂直配置；第二排气管道，与所述第一排气管道平行配置；连接管道，连接所述第一排气管道和所述第二排气管道。在所述连接管道上形成所述排出口。

所述连接管道包括导向面，在所述连接管道的内部朝向所述排出口向下方倾斜设置，把所述反应副产物导向所述排出口。

在这种情况下，可以是所述连接管道包括设置在所述连接管道的内部、向下倾斜的导向面，所述导向面的下端可以配置在所述排出口的垂直方向的上部。

此外，也可以是所述排气管道包括导向面，在所述排气管道内部朝向所述排出口向下方倾斜配置，把所述反应副产物导向所述排出口。

此外，所述装置还可以包括包围所述排气管道的加热套。此外，所述装置还可以包括压力调节器，连接在所述第二排气管道上，调节所述第二排气管道内的压力。此外，所述装置还可以包括阀门，连接在所述第二排气管道上，使所述第二排气管道打开或关闭。

本发明的基板处理装置包括：壳体，具有对基板实施处理工序的空间，在下部形成有排气口；卡盘，设置在所述壳体内部，放置所述基板；等离子体生成构件，连接在所述壳体的上部，在实施处理工序中生成等离子体，并提供到放置在所述卡盘上的所述基板的上部；以及排气装置，连接在所述排气口上，排出所述壳体内的反应副产物，其中，所述排气装置包括：排气管道，连接在所述壳体上，排出所述壳体内的反应副产物；容器形状的收集筒，连接到在所述排气管道的侧壁上形成的排出口上，收集所述排气管道内的反应副产物；以及紧固构件，连接在所述收集筒上，并把所述收集筒连接在所述排出口上。

本发明的排气方法，通过连接在处理室上的排气管道把所述处理室内的气体排出，在所述排气管道的侧壁上形成贯通所述侧壁的排出口，把收集筒连接在所述排出口上，然后通过所述排气管道把所述处理室内的气体排出，同时通过所述收集筒收集包含在所述气体中的反应副产物。

所述排气管道包括设置在所述排气管道内部的导向面，利用所述导向面可以把沿所述排气管道内壁流动的所述反应副产物导向所述排出口。在对所述气体进行排气时，可以对所述排气管道进行加热。