[发明专利]固态成像装置无效
申请号: | 200810008531.X | 申请日: | 2008-01-23 |
公开(公告)号: | CN101236983A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 成田博史 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H01L23/367;H01L23/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
1.一种固态成像装置,包含:细长的衬底;
金属层,其暴露于所述衬底的表面,并在衬底细长的方向上延伸;以及
细长的固态图像传感元件,其安装在所述金属层上,
其中位于所述固态图像传感元件的放大单元正下方的所述金属层的区域的厚度大于所述金属层的其他区域的厚度。
2.如权利要求1所述的固态成像装置,其中所述金属层包含第一金属层和第二金属层,
其中位于所述固态图像传感元件的放大单元正下方的所述金属层的区域包含所述第一金属层和所述第二金属层,其中第二金属层设置在第一金属层的下表面上,以及
其中所述金属层的其它区域由所述第一金属层构成。
3.如权利要求2所述的固态成像装置,其中所述第二金属层包含一种或多种金属,其中所述金属选自包含铜、铝及其合金所构成的组。
4.如权利要求2所述的固态成像装置,其中所述固态成像装置的热阻等于或低于35摄氏度/W,以及所述第二金属层的厚度等于或大于1mm。
5.如权利要求1所述的固态成像装置,其进一步包括在其它区域中的所述金属层的表面上的至少一个凸出部分,其中其它区域是指除了位于放大单元正下方的所述区域以外的区域,
其中所述固态图像传感元件部分地安装在位于所述放大单元正下方的所述区域中的所述金属层上,且所述固态图像传感元件也部分地安装在其它区域中的所述凸出部分上,因此所述固态图像传感元件能保持基本水平。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的