[发明专利]固态成像装置无效
申请号: | 200810008531.X | 申请日: | 2008-01-23 |
公开(公告)号: | CN101236983A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 成田博史 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H01L23/367;H01L23/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
本申请基于日本专利申请No.2007-012,638,该申请的全文通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种固态成像装置,其包含固态图像传感元件,其中该元件具有以线性排列形成的多个光敏晶体管。
背景技术
日本特开专利公开No.H6-163,950(1994)描述了常规的固态成像装置的典型例子。图7示出了日本特开专利公开No.H6-163,950描述的固态成像装置沿宽度方向的剖视图。
在模制外壳118基本中央的位置,固态成像装置110包含细长的固态图像传感元件120,其中该模制外壳包含被称为“岛”的金属层112。固态图像传感元件120被安装在金属层112上。固态图像传感元件120的表面配置有接合焊盘,其在此未示出。内引线134的表面被暴露在模制外壳118内。接合焊盘通过接合线140与内引线134导电连接。此外,内引线134延伸穿过并到达模制外壳118之外,与模制外壳118外部的外引线130相连接。模制外壳118的上开口被透明板122封装。
该类型的结构还在日本特开专利公开No.H7-86,542(1995)、日本特开专利公开No.H7-161,954(1995)、日本特开专利公开No.H11-330,285(1997)和日本特开专利公开No.2001-68,578中被描述。
另外,如图8所示,日本特开专利公开No.2000-228,475描述了一种固态成像装置,其使用具有金属层112的引线框,其中该金属层具有较大尺寸,并且位于固态图像传感元件的放大单元正下方的区域中。依据这种构造,来自固态图像传感元件的放大单元的热能够快速地被释放。
然而,在释放由固态图像传感元件的放大单元产生的热的过程中,如上所述的常规技术面临着待解决的问题。
近年来,需要减小固态成像装置的尺寸,并为获得更密集的像素排列进行了开发,以及进行了固态图像传感元件的小型化。这样的开发导致固态图像传感元件的放大单元产生的热量增加,造成固态图像传感元件温度的升高和像素温度分布的不均匀。这对固态成像装置读取的图像质量产生了不利的影响,导致固态成像装置可靠性的大幅度恶化。因此,在工业中需要通过以提高的效率对来自固态图像传感元件的放大单元的热进行释放,从而降低固态图像传感元件在操作中的温度,以提供像素的均衡的温度分布,从而获得固态图像传感元件的稳定的成像功能。
更具体地说,本发明旨在为由于减小固态成像装置尺寸而产生的新问题提供解决方案,并且通过在释放固态图像传感元件的放大单元产生的热时获得提高的效率来解决该问题。
发明内容
在一个实施例中,提供了一种固态成像装置,包含:细长的衬底;暴露于衬底的表面并沿衬底细长的方向延伸的金属层;以及安装在金属层上的细长的固态图像传感元件,其中位于固态图像传感元件放大单元正下方的金属层的区域的厚度大于金属层的其它区域的厚度。
由于根据本发明,形成在放大单元正下方的固态图像传感元件的区域内的金属层较厚,因此放大单元产生的热能够以改善的效率被释放。这使得能提供像素的均衡的温度分布,从而获得固态成像装置稳定的成像功能。
依据本发明,提供了一种改善的热释放能力,其能释放固态图像传感元件的放大单元产生的热,从而能提供具有改善的成像功能的固态成像装置。
附图说明
通过下述结合附图对特定优选实施例的描述,本发明的上述以及其它发明目的、优点和特性将更加明显易懂,其中:
图1示出了依据本发明实施例的固态成像装置的示意性平面图;
图2示出了沿线a-a的图1所示的固态成像装置的剖视图;
图3示出了第一实施例中的图2所示的固态成像装置的放大剖视图;
图4示出了依据本实施例用于制造固态成像装置的引线框的示意性平面图;
图5示出了包含实验结果的表格,其示出了固态成像装置的热阻和第二金属层的厚度之间的关系;
图6示出了图2所示的第二实施例中的固态成像装置10的放大剖视图;
图7示出了常规的固态成像装置沿宽度方向的剖视图;以及
图8示出了用于制造现有技术文献公开的固态成像装置的引线框的示意性平面图。
具体实施方式
下面参考说明性实施例对本发明进行描述。所属领域的技术人员将认识到,根据本发明的教导,能实现多种可选实施例,并且本发明并不局限于为说明性目的而示例的实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的