[发明专利]低功率缓冲电路

权利要求书

1.一种双输出缓冲电路，用于提供一第一参考电压以及一第二参考电压， 其包含有：

一第一缓冲电路，包含：一第一放大电路，具有一第一输入端、一第二 输入端以及一输出端；以及一第一晶体管，具有用于接受一第一电源电压的 一第一晶体管端，耦接于所述第一放大电路的第二输入端以输出所述第一参 考电压的一第二晶体管端，以及直接地仅耦接于所述第一放大电路的输出端 的一控制端；

一第二缓冲电路，包含：一第二放大电路，具有一第一输入端、一第二 输入端以及一输出端；以及一第二晶体管，具有用于接收一第二电源电压的 一第一晶体管端，耦接于所述第二放大电路的第一输入端以输出所述第二参 考电压的一第二晶体管端，以及直接地仅耦接于所述第二放大电路的输出端 的一控制端；

一第一参考电压源，具有耦接于所述第一放大电路的第一输入端的第一 端以及耦接所述第二电源电压的第二端；

一第二参考电压源，具有耦接于所述第二放大电路的第二输入端的第一 端以及耦接所述第二电源电压的第二端；以及

一二极管电路，具有耦接于所述第一放大电路的第二输入端的阳极端以 及耦接于所述第二放大电路的第一输入端的阴极端以从所述第一参考电压对 所述第二参考电压提供正向电压差，

其中，用于偏置所述第二晶体管的全部偏置电流是从所述第一晶体管的 第二晶体管端经由所述二极管电路而在所述第二晶体管的第二晶体管端接 收；

其中，所述第一电源电压高于所述第二电源电压。

2.如权利要求1所述的双输出缓冲电路，其中，该第一晶体管为一金属 氧化物半导体晶体管，该控制端是该第一晶体管的栅极。

3.如权利要求2所述的双输出缓冲电路，其中，该第二晶体管为一金属 氧化物半导体晶体管，该控制端是该第二晶体管的栅极。

4.如权利要求3所述的双输出缓冲电路，其中，该第一晶体管以及该第 二晶体管都是P型金属氧化物半导体晶体管。

5.如权利要求3所述的双输出缓冲电路，其中，该第一晶体管以及该第 二晶体管都是N型金属氧化物半导体晶体管。

6.如权利要求1所述的双输出缓冲电路，其中，该二极管电路包含一金 属氧化物半导体晶体管，耦接于所述第一放大电路的第二输入端和所述第二 放大电路的第一输入端子之间。

7.如权利要求6所述的双输出缓冲电路，其中，该二极管电路另包含一 电容，耦接于所述第一放大电路的第二输入端和所述第二放大电路的第一输 入端子之间。

8.如权利要求1所述的双输出缓冲电路，其中，该二极管电路包含一双 极连接晶体管，耦接于所述第一放大电路的第二输入端和所述第二放大电路 的第一输入端子之间。

9.如权利要求8所述的双输出缓冲电路，其中，该二极管电路另包含一 电容，耦接于所述第一放大电路的第二输入端和所述第二放大电路的第一输 入端子之间。

10.如权利要求1所述的双输出缓冲电路，其中，该二极管电路包含一二 极管，耦接于所述第一放大电路的第二输入端和所述第二放大电路的第一输 入端子之间。

11.如权利要求10所述的双输出缓冲电路，其中，该二极管电路另包含 一电容，耦接于所述第一放大电路的第二输入端和所述第二放大电路的第一 输入端子之间。