[发明专利]光电转换器件及其制造方法有效
申请号: | 200810008797.4 | 申请日: | 2004-05-28 |
公开(公告)号: | CN101290942A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 桥本荣 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种光电转换器件,所述光电转换器件具有有效像素区和所 述有效像素区之外的光学黑体区,所述光电转换器件包括:
多个光电转换部件;
至少具有第一图案、第二图案和第三图案的多个导线层,所述第 一图案设置在所述多个光电转换部件上方,所述第二图案设置在所述 第一图案上方并且包括光屏蔽部件,所述第三图案设置在第一图案和 第二图案之间;以及
位于所述有效像素区中的光电转换部件上方的光路径中的多个 凸形的夹层透镜,所述夹层透镜的每一个顶点沿着朝向入射光的方向 突起,
其中所述光屏蔽部件被用于形成所述光学黑体区并覆盖所述光 学黑体区中的光电转换部件,并且所述多个凸形的夹层透镜的至少一 部分延伸至所述光学黑体区中的所述光屏蔽部件的上方。
2.根据权利要求1的光电转换器件,其中所述多个凸形的夹层 透镜的所述至少一部分与所述光屏蔽部件彼此直接接触。
3.一种光电转换器件,所述光电转换器件具有有效像素区和所 述有效像素区之外的光学黑体区,所述光电转换器件包括:
多个光电转换部件;
至少具有第一图案、第二图案和第三图案的多个导线层,所述第 一图案设置在所述多个光电转换部件上方,所述第二图案设置在所述 第一图案上方并且包括光屏蔽部件,所述第三图案设置在第一图案和 第二图案之间;以及
具有位于所述有效像素区中的光电转换部件上方的光路径中的 多个凸形的夹层透镜的夹层透镜层,所述夹层透镜的每一个顶点沿着 朝向入射光的方向突起,
其中所述光屏蔽部件被用于形成所述光学黑体区并覆盖所述光 学黑体区中的光电转换部件,
其中所述夹层透镜层的至少一部分延伸至所述光学黑体区中的 所述光屏蔽部件的上方。
4.根据权利要求3的光电转换器件,其中所述夹层透镜层的所 述至少一部分与所述光屏蔽部件彼此直接接触。
5.一种光电转换器件,所述光电转换器件具有有效像素区和所 述有效像素区之外的光学黑体区,所述光电转换器件包括:
多个光电转换部件;
至少具有第一图案、第二图案和第三图案的多个导线层,所述第 一图案设置在所述多个光电转换部件上方,所述第二图案设置在所述 第一图案上方并且包括光屏蔽部件,所述第三图案设置在第一图案和 第二图案之间;以及
位于所述有效像素区中的光电转换部件上方的光路径中的多个 凸形的夹层透镜,所述夹层透镜的每一个顶点沿着朝向入射光的方向 突起,并且所述夹层透镜包含氮化硅膜,
其中所述光屏蔽部件被用于形成所述光学黑体区并覆盖所述光 学黑体区中的光电转换部件,
其中所述氮化硅膜的至少一部分延伸至所述光学黑体区中的所述 光屏蔽部件的上方。
6.根据权利要求5的光电转换器件,其中所述氮化硅膜的所述 至少一部分与所述光屏蔽部件彼此直接接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的