[发明专利]光电转换器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810008797.4 申请日: 2004-05-28
公开(公告)号: CN101290942A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 桥本荣 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/82
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光电 转换 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光电转换器件,所述光电转换器件具有有效像素区和所 述有效像素区之外的光学黑体区,所述光电转换器件包括:

多个光电转换部件;

至少具有第一图案、第二图案和第三图案的多个导线层,所述第 一图案设置在所述多个光电转换部件上方,所述第二图案设置在所述 第一图案上方并且包括光屏蔽部件,所述第三图案设置在第一图案和 第二图案之间;以及

位于所述有效像素区中的光电转换部件上方的光路径中的多个 凸形的夹层透镜,所述夹层透镜的每一个顶点沿着朝向入射光的方向 突起,

其中所述光屏蔽部件被用于形成所述光学黑体区并覆盖所述光 学黑体区中的光电转换部件,并且所述多个凸形的夹层透镜的至少一 部分延伸至所述光学黑体区中的所述光屏蔽部件的上方。

2.根据权利要求1的光电转换器件,其中所述多个凸形的夹层 透镜的所述至少一部分与所述光屏蔽部件彼此直接接触。

3.一种光电转换器件,所述光电转换器件具有有效像素区和所 述有效像素区之外的光学黑体区,所述光电转换器件包括:

多个光电转换部件;

至少具有第一图案、第二图案和第三图案的多个导线层,所述第 一图案设置在所述多个光电转换部件上方,所述第二图案设置在所述 第一图案上方并且包括光屏蔽部件,所述第三图案设置在第一图案和 第二图案之间;以及

具有位于所述有效像素区中的光电转换部件上方的光路径中的 多个凸形的夹层透镜的夹层透镜层,所述夹层透镜的每一个顶点沿着 朝向入射光的方向突起,

其中所述光屏蔽部件被用于形成所述光学黑体区并覆盖所述光 学黑体区中的光电转换部件,

其中所述夹层透镜层的至少一部分延伸至所述光学黑体区中的 所述光屏蔽部件的上方。

4.根据权利要求3的光电转换器件,其中所述夹层透镜层的所 述至少一部分与所述光屏蔽部件彼此直接接触。

5.一种光电转换器件,所述光电转换器件具有有效像素区和所 述有效像素区之外的光学黑体区,所述光电转换器件包括:

多个光电转换部件;

至少具有第一图案、第二图案和第三图案的多个导线层,所述第 一图案设置在所述多个光电转换部件上方,所述第二图案设置在所述 第一图案上方并且包括光屏蔽部件,所述第三图案设置在第一图案和 第二图案之间;以及

位于所述有效像素区中的光电转换部件上方的光路径中的多个 凸形的夹层透镜,所述夹层透镜的每一个顶点沿着朝向入射光的方向 突起,并且所述夹层透镜包含氮化硅膜,

其中所述光屏蔽部件被用于形成所述光学黑体区并覆盖所述光 学黑体区中的光电转换部件,

其中所述氮化硅膜的至少一部分延伸至所述光学黑体区中的所述 光屏蔽部件的上方。

6.根据权利要求5的光电转换器件,其中所述氮化硅膜的所述 至少一部分与所述光屏蔽部件彼此直接接触。

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