[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，其特征在于，

该半导体集成电路包括：

第一标准单元，其中形成有第一导电类型的第一阱；以及

第二标准单元，其中形成有第一导电类型的第二阱，且单元高度与所述第一标准单元的单元高度不同；

所述第一阱中配置有：构成第一晶体管的第一扩散区域，和用于向所述第一标准单元提供第一基板电源的第二扩散区域；

所述第二阱中配置有：构成第二晶体管的第三扩散区域，和用于向所述第二标准单元提供第二基板电源的第四扩散区域；

所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间的距离，与所述第三扩散区域和所述第四扩散区域之间的距离实质上是相同的。

2.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述第一以及第二晶体管具有相同的栅极宽度、源极扩散区域的面积和漏极扩散区域的面积、以及晶体管的形状。

3.如权利要求2所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述第一标准单元中形成有第二导电类型的第三阱；

所述第二标准单元中形成有第二导电类型的第四阱；

所述第三阱中配置有：构成第三晶体管的第五扩散区域，和用于向所述第一标准单元提供第三基板电源的第六扩散区域；

所述第四阱中配置有：构成第四晶体管的第七扩散区域，和用于向所述第二标准单元提供第四基板电源的第八扩散区域；

所述第五扩散区域和所述第六扩散区域之间的距离，与所述第七扩散区域和所述第八扩散区域之间的距离实质上是相同的。

4.如权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述第一标准单元具有被连接于所述第一晶体管的、第一金属布线层的第一金属布线；

所述第二标准单元具有被连接于所述第二晶体管的、所述第一金属布线层的第二金属布线；

所述第一金属布线和所述第二金属布线实质上形状相同。

5.如权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述第二标准单元的单元高度比所述第一标准单元的单元高度高；

所述第一标准单元具有构成所述第一晶体管的栅电极；

所述第二标准单元具有伪栅极布线和构成所述第二晶体管的栅电极；

所述第二标准单元的栅电极和所述伪栅极布线之间的距离是某一距离的2倍，所述某一距离是指：所述第一标准单元的栅电极到所述第一标准单元和与该第一标准单元邻接的单元的边界之间的距离。

6.如权利要求5所述的半导体集成电路，其特征在于，所述第一以及第二标准单元是具有反相逻辑电路的单元。

7.如权利要求5所述的半导体集成电路，其特征在于，所述第一以及第二标准单元是具有缓冲逻辑电路的单元。

8.如权利要求5所述的半导体集成电路，其特征在于，所述第一以及第二标准单元是具有“与”逻辑电路的单元。

9.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述第一标准单元中形成有第二导电类型的第三阱；

所述第二标准单元中形成有第二导电类型的第四阱；

所述第三阱中配置有：构成第三晶体管的第五扩散区域，和用于向所述第一标准单元提供第三基板电源的第六扩散区域；

所述第四阱中配置有：构成第四晶体管的第七扩散区域，和用于向所述第二标准单元提供第四基板电源的第八扩散区域；

所述第五扩散区域和所述第六扩散区域之间的距离，与所述第七扩散区域和所述第八扩散区域之间的距离实质上是相同的。

10.如权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述第一标准单元具有被连接于所述第一晶体管的、第一金属布线层的第一金属布线；

所述第二标准单元具有被连接于所述第二晶体管的、所述第一金属布线层的第二金属布线；

所述第一金属布线和所述第二金属布线实质上形状相同。