[发明专利]半导体激光器装置

权利要求书

1.一种半导体激光器装置，其特征在于，包括：

在第一基板上具有射出第一波长光的第一半导体层的第一半导体激光元件；和

在第二基板上具有射出第二波长光的第二半导体层的第二半导体激光元件，

所述第一和第二波长各自不同，所述第一和第二基板材料各自不同，

以在与第一基板的一面垂直的方向上与所述第一半导体激光元件的发光点不重叠的方式，把所述第二半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上，

第一发光点的上部露出。

2.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第一半导体激光元件具有由上层面和下层面形成的台阶，所述第一半导体层的发光点设在所述上层面的下方，

所述第二半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件的下层面上。

3.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

以使所述第二半导体层侧位于所述第一半导体层侧的方式，把所述第二半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上。

4.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第一半导体层和所述第二半导体层的任一个由氮化物类半导体构成。

5.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第一基板为透光性基板。

6.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

以所述第一半导体层位于所述第二半导体激光元件侧的方式，把所述第二半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上。

7.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第一半导体层和所述第二半导体层的任一个含有镓砷系半导体或镓铟磷系半导体。

8.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

以与跟所述第一半导体层的发光点重叠的所述第一半导体激光元件上的区域和与所述第一半导体激光元件相反侧的所述第二半导体激光元件的面相接的方式，设置散热体。

9.如权利要求8所述的半导体激光器装置，其特征在于，

通过把所述第二半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上，形成由所述第一半导体激光元件的一面和所述第二半导体激光元件的一面构成的台阶，

所述散热体具有由与所述第一半导体激光元件的一面相接的第一面和与所述第二半导体激光元件的一面相接的第二面构成的台阶。

10.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

还包括在第三基板上具有射出第三波长光的第三半导体层的第三半导体激光元件，

在与所述第一基板的一面平行的方向，在除了与所述第一半导体激光元件的发光点重叠的区域以外，把所述第三半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上。

11.如权利要求10所述的半导体激光器装置，其特征在于，

以所述第一半导体层位于所述第二和第三半导体激光元件侧的方式，把所述第二和第三半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上。

12.如权利要求10所述的半导体激光器装置，其特征在于，

以所述第二半导体层侧位于所述第一半导体层侧的方式，把所述第二半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上。

13.如权利要求10所述的半导体激光器装置，其特征在于，

以所述第三半导体层侧位于所述第一半导体层侧的方式，把所述第三半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上。

14.如权利要求10所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第一、第二和第三波长各自不同，所述第一、第二和第三半导体层含有氮化物系半导体、镓砷系半导体或镓铟磷系半导体的任一种。

15.如权利要求10所述的半导体激光器装置，其特征在于，

以和与所述第一半导体层的发光点重叠的所述第一半导体激光元件上的区域、与所述第一半导体激光元件相反侧的所述第二半导体激光元件的面和与所述第一半导体激光元件相反侧的所述第三半导体激光元件的面相接的方式，设置散热体。