[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质无效

专利信息
申请号: 200810009208.4 申请日: 2008-01-29
公开(公告)号: CN101237742A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 佐藤亮;齐藤均 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;H01L21/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 刘春成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 方法 以及 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,是包括:在处理容器内与该处理容器绝缘并且相互相对设置的第一电极和第二电极;通过切换部选择性地与第一电极和第二电极连接的第一高频电源部;和在该高频电源部分别与第一电极和第二电极连接时,自动进行阻抗值的匹配的第一匹配电路和第二匹配电路,通过在第一电极和第二电极间产生的等离子体对基板进行处理的平行平板型的等离子体处理装置,其特征在于,包括:

存储对应下述内容的数据的存储部:等离子体处理类别、通过所述切换部选择的电极、在所述第一高频电源部与第一电极连接时作为阻抗调整电路起作用的第二匹配电路的适当的阻抗值、在所述第一高频电源部与第二电极连接时作为阻抗调整电路起作用的第一匹配电路的适当的阻抗值;和

控制部,在已选择等离子体处理类别时,参照所述存储部的数据,通过切换部使所述第一高频电源部与对应的电极连接,并且输出用于将第一匹配电路和第二匹配电路中作为阻抗调整电路起作用的匹配电路调整为适当的阻抗值的控制信号。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述控制部的存储部具有包括连续的多个等离子体处理类别的方案,在所述方案中,对多个等离子体处理类别的每一个,记载对应下述内容的数据:等离子体处理类别;通过所述切换部选择的电极;在所述第一高频电源部与第一电极连接时,作为阻抗调整电路起作用的第二匹配电路的适当的阻抗值;和在所述第一高频电源部与第二电极连接时,作为阻抗调整电路起作用的第一匹配电路的适当的阻抗值,通过选择一个方案,连续进行多个等离子体处理类别。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述第一高频电源部与第一电极连接时,第一匹配电路作为匹配电路起作用,同时第二匹配电路作为阻抗调整电路起作用;在所述第一高频电源部与第二电极连接时,第二匹配电路作为匹配电路起作用,同时第一匹配电路作为阻抗调整电路起作用。

4.如权利要求1~3中任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,包括:

其一端侧通过匹配电路与所述第二电极连接的第二高频电源部;和

其一端侧与所述第一电极连接,并且另一端侧与所述处理容器连接的第二高频电力用的阻抗调整部。

5.一种等离子体处理方法,是在等离子体处理装置中进行的等离子体处理方法,该等离子体处理装置包括:在处理容器内与该处理容器绝缘并且相互相对设置的第一电极和第二电极;通过切换部选择性地与第一电极和第二电极连接的第一高频电源部;和在该第一高频电源部分别与第一电极和第二电极连接时,自动进行阻抗值的匹配的第一匹配电路和第二匹配电路,通过在第一电极和第二电极间产生的等离子体对基板进行处理,该方法的特征在于,包括:

将对应下述内容的数据存储于控制部的存储部的工序:等离子体处理类别、通过所述切换部选择的电极、在所述第一高频电源部与第一电极连接时作为阻抗调整电路起作用的第二匹配电路的适当的阻抗值、在所述第一高频电源部与第二电极连接时作为阻抗调整电路起作用的第一匹配电路的适当的阻抗值;

选择等离子体处理类别的工序;

参照对应于已选择的等离子体处理类别的所述存储部的数据,通过切换部使所述第一高频电源部与对应的电极连接,并且输出用于将第一匹配电路和第二匹配电路中作为阻抗调整电路起作用的匹配电路调整为适当的阻抗值的控制信号的工序;和

在处理容器内载置基板,对所述基板进行已选择的等离子体处理类别的处理的工序。

6.如权利要求5所述的等离子体处理方法,其特征在于:

所述控制部的存储部具有包括连续的多个等离子体处理类别的方案,在所述方案中,对多个等离子体处理类别的每一个,记载对应下述内容的数据:等离子体处理类别;通过所述切换部选择的电极;在所述第一高频电源部与第一电极连接时,作为阻抗调整电路起作用的第二匹配电路的适当的阻抗值;和在所述第一高频电源部与第二电极连接时,作为阻抗调整电路起作用的第一匹配电路的适当的阻抗值,通过选择一个方案,连续进行多个等离子体处理类别。

7.一种存储介质,是在平行平板型的等离子体处理装置中使用的、储存有在计算机上运行的计算机程序的存储介质,该平行平板型的等离子体处理装置包括:在处理容器内与该处理容器绝缘并且相互相对设置的第一电极和第二电极;通过切换部选择性地与第一电极和第二电极连接的第一高频电源部;和在该第一高频电源部分别与第一电极和第二电极连接时,自动进行阻抗值的匹配的第一匹配电路和第二匹配电路,通过在第一电极和第二电极间产生的等离子体对基板进行处理,该存储介质的特征在于:

所述计算机程序以实施权利要求5或6所述的等离子体处理方法的方式组合步骤。

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