[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及通过高频电力使处理气体等离子体化，并且通过该等离子体对基板实施蚀刻等处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法以及存储介质。

背景技术

在半导体器件和液晶显示装置等平板(flat panel)的制造工序中，为了对被称为半导体晶片、玻璃基板的被处理基板实施蚀刻处理、成膜处理等的工艺(process)处理，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等的等离子体处理装置。

图13是表示专利文献1中记载的平行平板型等离子体处理装置的图。在该等离子体处理装置中，例如在由铝等构成的处理容器11内设置有兼用为成为气体供给部的气体喷淋头的上部电极12，并且以与该上部电极12相对的方式设置有兼用为基板10的载置台的下部电极13。上述电极12为通过绝缘件14相对处理容器11充分地电浮起的状态，通过匹配电路(匹配电路)15与高频电源17连接而构成为阴极。

下部电极13通过插入设置有阻抗调整部19的导电通路18a、支承板18b和波纹管(bellows)体18c与处理容器11连接，构成为阳极。处理容器11的上部侧通过作为接地的框体的匹配箱16接地。因为在处理容器11内产生等离子体时，上部电极12和下部电极13之间电容耦合，所以该装置中的高频电流的导电通路成为高频电源17→匹配电路15→上部电极12→等离子体→下部电极13→阻抗调整部19→处理容器11的壁部→匹配箱16→接地。

而且在该装置中，通过在下部电极13(阳极电极)和处理容器11之间设置包括电容成分的阻抗调整部19，能够抑制在上部电极12和处理容器11的壁部之间的等离子体的产生，从而在处理容器11内产生均匀的等离子体。

但是在半导体器件或液晶显示器中使用的薄膜晶体管(TFT：ThinFilm Transistor)的制造工艺中，存在对作为被处理体的基板，向上部电极施加高频电力并进行处理的情况，和向下部电极施加高频电力并进行处理的情况，也存在连续进行这些处理的情况。此外为了缩短制造工艺的时间，在一台装置中进行这些连续的处理是有效地，作为为了此目的的装置，考虑了上部电极和下部电极分别与高频电源连接，在上部电极和下部电极分别均设置有匹配电路和阻抗调整部的结构。

在这样的装置中，在向上部电极侧施加高频电力的情况下，使用上部电极侧的匹配电路和下部电极侧的阻抗调整部，在向下部电极侧施加高频电力的情况下，使用下部电极侧的匹配电路和上部电极侧的阻抗调整部。但是，像这样的在上部电极侧和下部电极侧分别均设置有匹配电路和阻抗调整部的结构中，因为包括存在不使用的情况的匹配电路和阻抗调整部，所以存在构成要素多，结构复杂的问题。

此外在进行上述制造工艺时，在各个处理时，必须进行切换施加高频电力的电极的操作，和对应于施加高频电力的电极、选择使用的阻抗调整部的操作。

此时，即使在对同一电极施加高频电力的情况下，当高频的施加电力、处理气体、处理压力等的工艺条件产生变化时，阻抗调整部的适当的阻抗值也不相同，如在未将阻抗值调整到适当的值的状态下进行处理，则无法进行稳定的等离子体处理。但是在专利文献1中并没有着眼于抑制装置的复杂化、根据处理对从高频电源部施加高频电力的电极进行切换、调整阻抗值，而且也没有记载其解决方法。

专利文献1：日本特开2005-340760号公报：图1

发明内容

本发明是在这样的情况下提出的，其目的在于提供一种技术，通过在第一匹配电路和第二匹配电路中，一方使用原来的匹配电路，另一方使用阻抗调整电路，减少装置的构成要素，抑制装置结构的复杂化，并且通过根据等离子体处理类别，自动进行连接高频电源部的电极的选择，和作为阻抗调整电路起作用的匹配电路的阻抗值的调整，能够总是进行稳定的等离子体处理。

为此本发明的等离子体处理装置是包括：在处理容器内与该处理容器绝缘并且相互相对设置的第一电极和第二电极；通过切换部选择性地与第一电极和第二电极连接的第一高频电源部；和在该第一高频电源部分别与第一电极和第二电极连接时，自动进行阻抗值的匹配的第一匹配电路和第二匹配电路，通过在第一电极和第二电极间产生的等离子体对基板进行处理的平行平板型的等离子体处理装置，其特征在于，包括：

存储对应下述内容的数据的存储部：等离子体处理类别、通过上述切换部选择的电极、在上述第一高频电源部与第一电极连接时作为阻抗调整电路起作用的第二匹配电路的适当的阻抗值、在上述第一高频电源部与第二电极连接时作为阻抗调整电路起作用的第一匹配电路的适当的阻抗值；