[发明专利]存储器装置以及数据读取方法有效

专利信息
申请号: 200810009300.0 申请日: 2008-02-03
公开(公告)号: CN101499317A 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: 杜君毅;曾德彰;荒川秀贵;中山武志 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C29/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 葛宝成
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 以及 数据 读取 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,包括:

一存储器阵列,具有多个存储器页面单元,其中,上述存储器页面单元 包括一主要数据以及对应于上述主要数据的一附属数据,以及上述附属数据 包括多个标记位;

一判断电路,用以根据上述多个标记位产生一判断位;以及

一数据读取电路,用以根据上述判断位取得上述主要数据的信息。

2.如权利要求1所述的存储器装置,其中,上述标记位的个数为奇数。

3.如权利要求1所述的存储器装置,还包括一页面缓冲器,耦接于上述 存储器阵列以及上述判断电路之间,用以存储对应于上述判断位的上述主要 数据以及上述附属数据。

4.如权利要求1所述的存储器装置,其中,上述存储器阵列为一与非闪 存。

5.如权利要求4所述的存储器装置,其中,上述存储器阵列具有多电平 存储单元。

6.如权利要求5所述的存储器装置,其中,上述主要数据的信息为上述 主要数据的位长度。

7.如权利要求1所述的存储器装置,其中,上述标记位具有一第一逻辑 电平以及一第二逻辑电平之一。

8.如权利要求7所述的存储器装置,其中,上述判断电路取得上述标记 位具有上述第一逻辑电平的一第一位数以及具有上述第二逻辑电平的一第二 位数,并根据上述第一位数以及上述第二位数产生上述判断位。

9.如权利要求8所述的存储器装置,其中,当上述第一位数大于上述第 二位数时,上述判断位为上述第一逻辑电平,以及当上述第二位数大于上述 第一位数时,上述判断位为上述第二逻辑电平。

10.一种数据读取方法,包括:

从一存储器阵列读取一存储器数据,其中,上述存储器数据包括一主要 数据以及对应于上述主要数据的一附属数据,以及上述附属数据包括多个标 记位;

根据上述多个标记位产生一判断位;以及

根据上述判断位取得上述主要数据的信息。

11.如权利要求10所述的数据读取方法,其中,上述标记位的个数为奇 数。

12.如权利要求10所述的数据读取方法,其中,上述存储器阵列是一与 非闪存。

13.如权利要求12所述的数据读取方法,其中,上述存储器阵列具有多 电平存储单元。

14.如权利要求13所述的数据读取方法,其中,上述主要数据的信息为 上述主要数据的位长度。

15.如权利要求10所述的数据读取方法,其中,上述标记位具有一第一 逻辑电平以及一第二逻辑电平之一。

16.如权利要求15所述的数据读取方法,还包括取得上述标记位具有上 述第一逻辑电平的一第一位数以及具有上述第二逻辑电平的一第二位数,并 根据上述第一位数以及上述第二位数产生上述判断位。

17.如权利要求16所述的存储器装置,其中,当上述第一位数大于上述 第二位数时,上述判断位为上述第一逻辑电平,以及当上述第二位数大于上 述第一位数时,上述判断位为上述第二逻辑电平。

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