[发明专利]存储器装置以及数据读取方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器装置，特别是涉及一种具有奇数个标记位的与非 闪存(NAND flash)。

背景技术

一般而言，NAND闪存所存储的数据可分为主要数据以及标记数据，其 中，标记数据为主要数据的附属数据。举例来说，附属数据可以是错误校正 码(Error Correction Code)或是存储器损坏标记等，其中，附属数据是由 制造商根据实际应用而设计。

在经过晶片测试(wafer-sort)之后，闪存需要额外的冗余电路 (redundancy circuit)来取代存储器内损坏的存储单元，以便NAND闪存能 正常操作。举例来说，Park在美国专利第5694359号提供一种快闪存储单元 装置，其具有修护电路可使用备用单元(spare cell)来取代主要存储单元 阵列的损坏单元。

相较于主要数据，虽然附属数据所使用到的存储单元占整体存储器阵列 的极小部分，然而损坏的附属数据亦需要额外的冗余电路来进行修护。

发明内容

本发明提供一种存储器装置，包括：一存储器阵列，具有多个存储器页 面单元，其中，上述存储器页面单元包括一主要数据以及对应于上述主要数 据的一附属数据，以及上述附属数据包括多个标记位；一判断电路，用以根 据上述多个标记位产生一判断位；以及一数据读取电路，用以根据上述判断 位取得上述主要数据的信息。

再者，本发明提供一种数据读取方法，包括：从一存储器阵列读取一存 储器数据，其中，上述存储器数据包括一主要数据以及对应于上述主要数据 的一附属数据，且上述附属数据包括多个标记位；根据上述多个标记位产生 一判断位；以及根据上述判断位取得上述主要数据的信息。

附图说明

图1示出了根据本发明一实施例所述的存储器装置；

图2A示出了根据本发明一实施例所述的页面所存储的数据；

图2B示出了根据本发明另一实施例所述的页面所存储的数据；以及

图3示出了根据本发明一实施例所述的数据读取方法。

附图符号说明

100～存储器装置      110～存储器阵列

120～页面缓冲器      130～判断电路

140～数据读取电路    b₁-b₅～标记位

D₁～主要数据         D₂～附属数据

D₃～判断数据         S302-S306～步骤。

具体实施方式

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举 出较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

实施例：

图1示出了根据本发明一实施例所述的存储器装置100。存储器装置100 包括存储器阵列110、页面缓冲器120、判断电路130以及数据读取电路140。 如图1所显示，存储器阵列110为具有多电平存储单元的NAND闪存，并可划 分成多个页面单元，例如页面111、页面112...等。在存储器阵列110中，每 个页面所存储的数据可包括主要数据以及对应于主要数据的附属数据，其中， 附属数据为多个字元的数据。当数据读取电路140对存储器阵列110进行读 取时，对应于读取位置的页面的主要数据D₁以及附属数据D₂会先传送至页面 缓冲器120。接着，判断电路130可根据页面缓冲器120内的附属数据D₂产 生判断数据D₃，其中，判断数据D₃为一位数据。最后，数据读取电路140从 页面缓冲器120接收主要数据D₁，并根据判断数据D₃而取得主要数据D₁的信 息，例如判断数据D₃可指示主要数据D₁为一位数据或是两位数据。举例来说， 两位数据“00”与“01”可视为一位数据“0”与“1”。