[发明专利]可提升出光效率的发光二极管座体结构有效
申请号: | 200810009315.7 | 申请日: | 2008-02-18 |
公开(公告)号: | CN101515612B | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 陈明鸿;温士逸;林信泰;陈景宜;洪国程 | 申请(专利权)人: | 海立尔股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提升 效率 发光二极管 结构 | ||
1.一种可提升出光效率的发光二极管座体结构,其特征在于其为一本 体,具有一承载部,并形成有一第一表面、一第二表面及一第三表面,该第 一表面用以承载发光二极管晶粒,该第二表面与该第一表面相接,该第三 表面与该第二表面相接,其中该第二表面是为一全波段光反射面,该本体 的结构是一全波段光反射陶瓷的多层堆叠结构,且该第二表面为一粗糙斜 面,其中该第三表面是该本体的外表面并且该第三表面设置有一全波段光 吸收层,以吸收入射至该第三表面的光线并减少杂散光的产生。
2.根据权利要求1所述的可提升出光效率的发光二极管座体结构,其 特征在于其中所述的第二表面藉由一全波段光反射层形成该全波段光反射 面。
3.根据权利要求2所述的可提升出光效率的发光二极管座体结构,其 特征在于其中所述的全波段光反射层是一全波段光反射陶瓷层。
4.根据权利要求1所述的可提升出光效率的发光二极管座体结构,其 特征在于其中所述的全波段光吸收层是一全波段光吸收陶瓷层。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的可提升出光效率的发光 二极管座体结构,其特征在于其中所述的第一表面是由一绝缘导热基材堆 叠而成。
6.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的可提升出光效率的发光 二极管座体结构,其特征在于其中所述的第一表面是由一氮化铝基材、一碳 化硅基材或一氮化硼基材堆叠而成。
7.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的可提升出光效率的发光 二极管座体结构,其特征在于其中所述的第一表面是由一绝缘导热基材堆 叠而成,且该绝缘导热基材中是具有复数个导热柱。
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