[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括一个半导体芯片，该半导体芯片具有芯区域和在所述芯区域之外形成的输入/输出区域，该半导体芯片安排成在所述芯区域中形成至少一个操作部分和保持来自所述操作部分数据的存储器，并且在所述输入/输出区域中形成输入/输出电路，用以在形成于所述芯区域中的所述操作部分或所述存储器与外部源之间输入/输出数据，

其中所述半导体芯片包括：

(a)第一线，用以对所述操作部分和所述存储器供给电源电位；

(b)第二线，用以对所述操作部分供给一个比所述电源电位低的电位；

(c)第三线，用以对所述存储器供给一个比所述电源电位低的电位；

(d)参考线，用以供给参考电位；

(e)第一开关，用以使所述第二线和所述参考线相互电耦合或电解耦；

(f)第二开关，用以使所述第三线和所述参考线相互电耦合或电解耦；

(g)多个第一垫，与所述第一线电耦合；和

(h)多个第二垫，与所述参考线电耦合，并且

其中所述第一垫和所述第二垫在所述芯区域中形成，并且所述第一开关和所述第二开关也在所述芯区域中形成。

2.根据权利要求1的半导体器件，

其中执行控制，以便当所述操作部分在操作状态时，所述第二线和所述参考线通过所述第一开关相互电耦合，以便对所述第二线供给所述参考电位，并且当所述操作部分在非活动状态时，所述第二线和所述参考线通过所述第一开关相互电解耦，以便不对所述第二线供给所述参考电位，并且

其中类似地执行控制，以便当所述存储器在操作状态时，所述第三线和所述参考线通过所述第二开关相互电耦合，以便对所述第三线供给所述参考电位，以及当所述存储器在非活动状态时，所述第三线和所述参考线通过所述第二开关相互电解耦，以便不对所述第三线供给所述参考电位。

3.根据权利要求1的半导体器件，

其中包括多个所述第一开关和所述第二垫的第一开关行，或包括多个所述第二开关和所述第二垫的第二开关行具有相互平面重叠的区域。

4.根据权利要求1的半导体器件，

其中包括多个所述第一开关和所述第二垫的所述第一开关行之间的距离，不大于所述第二垫的最近两个之间距离的1/4。

5.根据权利要求1的半导体器件，

其中包括多个所述第二开关和所述第二垫的所述第二开关行之间的距离，不大于所述第二垫的最近两个之间距离的1/4。

6.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述第一开关和所述第二开关由在半导体衬底中形成的n沟道场效应晶体管形成。

7.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述操作部分在形成于所述芯区域中的矩形操作部分形成区域中形成，并且

其中在限定所述操作部分形成区域的一对边界区域中，形成有一对包括所述第一开关的第一开关行，和一对与所述第一开关行对分别平面重叠并且与所述第一开关行对分别电耦合的第二垫。

8.根据权利要求7的半导体器件，

其中所述第一垫在所述操作部分形成区域中形成，并且在离所述第二垫对相等距离的位置形成。

9.根据权利要求1的半导体器件，

其中在所述输入/输出区域中形成多个第三垫，并且

其中所述第三垫和所述第二垫电耦合在一起。

10.根据权利要求1的半导体器件，

其中在所述输入/输出区域中形成多个第三垫，并且

其中所述第三垫和所述第一垫电耦合在一起。

11.根据权利要求1的半导体器件，

其中在所述第一线与所述第二线之间以及在所述第一线与所述第三线之间，耦合一个保护元件，并且所述保护元件在所述芯区域中形成。

12.根据权利要求11的半导体器件，

其中所述保护元件是二极管。

13.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述第二线包括全局线和局部线，并且

其中所述第一开关包括耦合在所述局部线与所述全局线之间的局部开关，和耦合在所述全局线与所述参考线之间的全局开关。