[发明专利]具有晶粒容纳通孔与连接通孔的半导体元件封装与其方法无效
申请号: | 200810009697.3 | 申请日: | 2008-02-20 |
公开(公告)号: | CN101252108A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 杨文焜;林殿方;王东传;许献文 | 申请(专利权)人: | 育霈科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 晶粒 容纳 接通 半导体 元件 封装 与其 方法 | ||
1.一种半导体元件封装结构,其特征在于,所述半导体元件封装结构包含:
一基底,具有一晶粒容纳通孔与一内部填有导电材料的连接通孔结构形成在所述基底的侧边,所述基底的上表面具有第一接垫,所述基底的下表面具有第二接垫;
一具有焊接垫的晶粒,配置在所述晶粒容纳通孔内部;
第一黏着材料,形成在所述晶粒的底部;
第二黏着材料,被填入所述晶粒与所述基底的晶粒容纳通孔侧壁之间的间隙;
一焊接线,被形成来耦合所述焊接垫与所述第一接垫;及
一介电层,形成在所述焊接线、所述晶粒以及所述基底上。
2.如权利要求1所述的半导体元件封装结构,其特征在于,所述半导体元件封装结构还包含多个导电凸块耦合至所述第二接垫,所述多个导电凸块可经由所述通孔结构与所述焊接垫电性导通。
3.如权利要求1所述的半导体元件封装结构,其特征在于,所述半导体元件封装结构还包含金属层或导电层形成在所述基底的晶粒容纳通孔的侧壁上。
4.如权利要求1所述的半导体元件封装结构,其中所述第一黏着材料与第二黏着材料的材质包含紫外线固化类与/或热固类材料、环氧树脂或橡胶类材料。
5.一种用来形成半导体元件封装的方法,该方法包含:
提供一具有晶粒容纳通孔与连接通孔结构的基底,所述基底的上表面有第一接垫,所述基底的下表面有第二接垫,所述连接通孔分别耦合所述第一接垫与所述第二接垫;
使用一捡放精细对准系统将具有焊接垫的晶粒依适当的间距在一晶粒重布工具上进行重布;
将所述基底黏在所述晶粒重布工具上;
将第一黏着材料涂在所述晶粒的背面;
将第二黏着材料填入所述晶粒边缘与所述基底的晶粒容纳通孔之间的空间中;
将所述封装结构与所述晶粒重布工具分离;
形成焊接线来连接所述焊接垫与所述第一接垫;
将介电层形成在所述晶粒的有效表面以及所述基底的上表面;及
将所述封装结构固定在胶带上切割成独立的晶粒以进行切割步骤。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包含下列步骤:将多个焊接凸块焊在所述第二接垫上,将所述晶粒的有效面黏在所述具有图案的胶材质上,将所述第一黏着材料与第二黏着材料固化,将所述介电层固化。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包含下列步骤:在所述基底的晶粒容纳通孔侧壁上形成一金属层或导电层,在形成所述焊接线前先清洗所述封装的上表面。
8.一种用来形成半导体元件封装的方法,该方法包含:
提供一具有晶粒容纳通孔与连接通孔结构的基底,所述基底的上表面有第一接垫,所述基底的下表面有第二接垫;
将所述基底黏到一晶粒重布工具;
将所述具有接垫的晶粒用一精细对准取置系统在所述晶粒重布工具上以适当的间距进行重布;
形成一焊接线以连接所述接垫与所述第一接垫;
在所述晶粒的有效面与所述基底的上表面形成一介电层并将其填入晶粒边缘与所述基底的晶粒容纳通孔侧壁之间的空隙;
将所述封装结构与所述晶粒重布工具分离;及
将所述晶粒结构固定在一胶带上并切割成个别独立的晶粒。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包含下列步骤:
将复数个导电凸块焊在所述第二接垫上;
用图形胶将所述晶粒背面黏在所述晶粒重布工具上;
将所述介电层固化。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包含下列步骤:
将复数个导电凸块焊在所述第二接垫上;
在所述晶粒背面形成一第一黏着层;
在所述基底的晶粒容纳通孔侧壁上形成一层金属层。
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