[发明专利]衬底结构、低聚物探针阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种低聚物探针阵列，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的低聚物探针；和

插入在衬底和低聚物探针之间的中间膜，其中所述衬底包括与低 聚物探针耦合的活化区和没有与低聚物探针耦合的非活化区，

所述中间膜包括活化区上的低聚物探针和所述衬底之间由结构式 2表示的化学结构，和非活化区上由下面的结构式1表示的化学结构：

<结构式1>

<结构式2>

其中R₁是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族 内脂、环烷基或环烯基，

R₂是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族内脂、 环烷基或环烯基，

Y与连接器、间隔物或低聚物探针耦合，和

X直接或经由固定层而与所述衬底耦合。

2.根据权利要求1的低聚物探针阵列，其中，所述固定层包括-Si (OR)₃，其中R是烷基。

3.根据权利要求1的低聚物探针阵列，其中，R₁或R₂是通过对选 自由和表示的化合物组 成的组的化合物与选自由

表示的化合物组成的组的化合物进行狄尔斯-阿尔德反应而形成的。

4.根据权利要求1的低聚物探针阵列，其中，所述衬底包括在上 述衬底上或所述衬底中的三维表面，且中间膜在所述三维表面上。

5.根据权利要求1的低聚物探针阵列，其中，连接器或间隔物被 进一步插入在所述中间膜和低聚物探针之间。

6.根据权利要求1的低聚物探针阵列，进一步包括：

在所述活化区上的低聚物探针和中间膜之间的连接器和间隔物。

7.一种制造低聚物探针阵列的方法，包括：

提供衬底；

在衬底上形成包括由下面的结构式1表示的化学结构的中间膜：

<结构式1>

其中R₁是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族 内脂、环烷基或环烯基，

R₂是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族内脂、 环烷基或环烯基，和

X直接或经由固定层而与所述衬底耦合；

曝光所述中间膜的至少一部分；和

使曝光的所述中间膜的至少一部分与低聚物探针耦合。

8.根据权利要求7的制造低聚物探针阵列的方法，其中，将所述 中间膜的至少一部分暴露给波长在约190nm至约450nm范围内的光。

9.根据权利要求7的制造低聚物探针阵列的方法，其中，所述固 定层包括-Si(OR)₃，其中R是烷基。

10.根据权利要求7的制造低聚物探针阵列的方法，其中，R₁或R₂是通过对选自由和表示 的化合物组成的组的化合物和选自由

表示的化合物组成的组的化合物进行狄尔斯-阿尔德反应而形成的。

11.根据权利要求7的制造低聚物探针阵列的方法，其中，所述衬 底包括在所述衬底上或所述衬底中的三维表面，并且所述中间膜形成 在所述三维表面上。

12.根据权利要求7的制造低聚物探针阵列的方法，其中由结构式 1表示的化学结构被通过如下制备：

选自由和表示的 化合物组成的组的其中之一和选自由表示的化合物组成的组的其中之一进行 狄尔斯-阿尔德反应用于环化，以合成包含二酮基结构的二酮；和

通过包含二酮基结构的二酮和重氮转移试剂反应形成重氮酮基。