[发明专利]一种在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法无效
申请号: | 200810011620.X | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN101593710A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 约翰·保罗·达发;尚建库 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镍铁焊盘上 实现 焊料 工艺 方法 | ||
技术领域
本发明属于微电子器件制造领域,具体为一种在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法。更具体而言,是在铜制印刷电路板(PCB,Printed Circuit Board)上、芯片金属层上、芯片基体上电镀镍铁焊盘的工艺,以实现加强型下凸缘冶金(UBM,under bump metallization)。同时,本发明也涉及焊料突起的制备,以实现在微电子器件上的机械和电子互联。
背景技术
在高性能微电子器件中,常常使用焊球进行与其它微电子器件互联。例如,大尺寸集成电路板可以通过焊料突起实现与PCB的电子互联。这一联结技术被称为C4,或是倒装技术。通常PCB设计中含有作为联结终端的球栅阵列点阵(BGA),这些铜制焊盘点阵就是焊球的“着陆”点。为了提高铜制焊盘的润湿性,从而控制焊球的形状,研究人员提出了多种多样的表面修饰方法,其中包括镍磷化物、钛或铬局部联接层、或是铬铜共沉积层,等等。UBM可以显著提高焊料体系的整体性能,它还被看作是一种控球冶金工艺,可以精确控制回流焊球的尺寸,此外还能提供具有良好润湿性的表面,在一定的机械和热应力下仍能保证良好的粘合力和可靠性,它还被认为是集合电路器件与联接处金属之间的屏障。申请人已经开展了各种形式的镍铁UBM与复合焊料金属间反应的研究工作,其中包括同Sn-Ag-Cu和Sn-In的反应。研究发现,特定的镍铁比例能够提供高性能的UBM,它与一些焊料的反应缓慢,可以形成薄的金属间化合物层。
发明内容
本发明提供了一种在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法,可以制造成份比例精确的镍铁焊盘,用以形成UBM,实现在微电子器件上的机械和电子互联。
本发明的技术方案是:
一种在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法,在印刷电路板的镍铁焊盘上制造焊料突起,包括如下步骤:
首先,准备与电路设计相匹配的阴影掩模;
其次,使用与设计图样匹配的阴影掩模拓印焊膏,将焊膏拓印在镍铁焊盘上,使焊膏完全位于阴影掩模之内,从而实现在掩模上的孔洞中形成定位凹槽;
第三,将焊球置于焊膏产生的凹槽中,将焊球固定;
第四,样品回流;取下阴影掩模,回流样品,回流温度应当与所选焊料的回流特性相匹配。
所述的在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法,按重量百分比计,镍铁焊盘的合金成份为:铁5%~95%,镍5%~95%。
所述的在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法,焊料互联后结构的一端或是两端为镍铁焊盘。
所述的在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法,在印刷电路板上电镀镍铁焊盘,使用的电镀溶液化学成份如下:
六水硫酸镍NiSO4·6H2O:100-200g/L;
硼酸H3BO3:10-50g/L;
氯化钠NaCl:5-25g/L;
抗坏血酸C6H8O6:0.2-2g/L;
七水硫酸亚铁FeSO4·7H2O:10-40g/L;
糖精钠晶体:0.2-2.5g/L;
十二烷基硫酸钠C12H25NaO4S:0.1-1g/L;
其余为水。
所述的在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法,在电镀过程中,阳极为纯镍和纯铁联接一起构成,阴极为印刷电路板,电镀温度20-100℃,电流密度30-35mA/cm2,电镀速率为0.1-1μm/min。
所述的在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法,在通过阴影掩模拓印焊膏时,焊球的直径至少小于掩模平均孔洞尺寸的25%,将焊球扫过样品,使其落入掩模的孔洞当中,焊球就会附着在焊膏之上。
所述的在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法,在撤去阴影掩模之前,进行一次回流,使焊球被固定在焊膏之上。
所述的在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法,先在印刷电路板表面制备金属焊盘,再在金属焊盘表面镀镍铁焊盘。
所述的在镍铁焊盘上实现焊料互联的工艺方法,该工艺方法用以生产含有上述成份镍铁合金的球格点阵、倒装晶片或其它点阵类型的电子仪器组件。
本发明的优点及有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造