[发明专利]半导体掺杂分布的精确测量方法

权利要求书

1、半导体掺杂分布的精确测量方法，其特征在于：

1)首先通过C-V测试仪获得待测半导体材料的C-V曲线；

2)用传统KMK方法求出初始掺杂浓度分布N₀(x)-x；

3)设定过渡区与完全电离区边界x_p步长，得出一系列多子分布n(x)-x；

4)由C=ϵSi·Ax]]>得出ΔV引起的坐标变化Δx=-ϵSiAC2·dCdV·ΔV;]]>

ε_Si为半导体材料介电常数，A为结面积，x为耗尽层厚度，C为耗尽层电容，ΔV为扫描小信号电压；

5)由N_target(x)-x，启始值为N₀(x)-x，多子分布n(x)-x，n(x-Δx)-x和Δx求出电荷变化分布Δn(x)-x；

N_target(x)-x为每次修正用到的初始掺杂浓度分布；

6)求出电荷的净变化量：ΔQ=A·q·∫xp(x+Δx)qΔn(x)dx,]]>并由ΔQ/ΔV求出C_temp，考虑到电荷元对电容的不同贡献，将C_temp归结为x‾=∫xpxqΔn(x)xdx∫xpxqΔn(x)dx]]>处的值；

C_temp-x为考虑到过渡区多子分布后计算求得的电容分布；

7)结合所有过渡区与完全电离区边界x_p步点对应的结果，得到一系列坐标点(C_temp，x)；

8)在相同x处比较C_temp-x与C_s-x的值，应用收敛公式ΔN(x‾)=(CtempCmax)α·(Cs-Ctemp)·3×10β]]>得出每点的浓度调整量，其中C_max为最大电容值，α、β为实验参数；

C_s-x为由Cs=ϵSi·Ax‾]]>直接求得的标准电容分布；

9)由调整后的浓度值(N(x)_new，x)得出本次修正后的浓度分布曲线N_new(x)-x，该分布将逐步趋近真值；

10)把N_new(x)-x当作N_target(x)-x_target重复上述3)-9)步骤，直到C_temp和C_s完全重合，此时所得的浓度分布N_new(x)-x即为材料真实的掺杂分布。