[发明专利]半导体掺杂分布的精确测量方法无效
| 申请号： | 200810017335.9 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101252098A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 苗欣;邵志标;李宇海;傅懿斌 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张震国 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 掺杂 分布 精确 测量方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种利用Schottkey C-V特性的半导体掺杂分布的精确测量方法。
背景技术
Schottkey C-V法测量半导体掺杂分布作为一种半导体材料测试标准已得到广泛应用。八十年代以前，Schottkey C-V法测掺杂浓度的研究较多，但但之后已鲜有这类论文发表。针对传统的C-V测量掺杂方法利用耗尽层近似所带来的精度限制问题，人们曾提出不少改进方案(D.P.Kennedy，P.C.Murley，W.Kleinfelder.On the measurement of impurity atomdistributions in silicon by the differential capacitance technique.IBM J.Res.Develop.，1968，Sept：399；D.P.Kennedy，R.R.O’Brien.On the measurementof impurity atom distributions by thedifferential capacitance technique.IBM J.Res.Develop.，1969，Mar：212；Walter C.Johnson，Peter T.Panousis.The influence of DebyeLength on the C-V Measurement of Doping Profiles.IEEE TransactionDevices，1971，October，NO.10，vol.ED-18：965)。但这些方案对C-V测量数据的计算方法仍然存在种种问题，使得精度和分辨率之间的矛盾并未得到真正解决。当器件进入纳米尺寸后，掺杂工艺带来的误差会极大地影响到器件的工作性能和成品率，因此精确测量半导体材料掺杂分布有重要的实用意义。
基于Schottkey结耗尽层近似的KMK测试理论由Kennedy，Murley和Kleinfelder(D.P.Kennedy，P.C.Murley，W.Kleinfelder.On themeasurement of impurity atom distributions in silicon by thedifferential capacitance technique.IBM J.Res.Develop.，1968，Sept：399)于1968年提出，掺杂浓度N(x)和耗尽层电容C分别为：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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