[发明专利]一种新型的单面去扩散层方法无效
| 申请号： | 200810032536.6 | 申请日： | 2008-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101217173A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 胡宏勋;徐晓群;孙励斌;李华维;陈斌;黄跃文;唐则祁 | 申请（专利权）人： | 宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 罗习群 |
| 地址： | 315177浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 单面 扩散 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型的单面去扩散层方法，其特征在于，该方法的步骤如下：
(1)将电阻率0.5～6Ω.cm的单晶硅片进行前道化学预清洗和绒面腐蚀；
(2)在N型单晶硅片的正面，磷扩散N+层；
(3)等离子刻蚀；
(4)去除磷硅玻璃；
(5)在N型单晶硅片的正面，PECVD沉积氮化硅膜；
(6)去除硅片背面磷扩散层；
(7)去除正面氮化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
