[发明专利]用于保护多晶和衬底表面的集成方法有效
| 申请号： | 200810032697.5 | 申请日： | 2008-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101488477A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 居建华;魏莹璐;何学缅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 保护 多晶 衬底 表面 集成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于保护多晶和衬底表面的集成方法，其特征在于，依次包括以下步骤：
步骤一：多晶光照；
步骤二：多晶蚀刻；
步骤三：多晶再氧化；
步骤四：补偿间隔物SiN沉积；
步骤五：补偿间隔物蚀刻；
步骤六：补偿间隔物聚合物去除；
步骤七：NMOS IO/核心轻掺杂漏极；
步骤八：PMOS IO轻掺杂漏极；
步骤九：氧化物剥离；以及
步骤十：PMOS核心轻掺杂漏极，
其中，该集成方法在补偿间隔物蚀刻之后且补偿间隔物聚合物去除之前不进 行氧化物剥离的步骤，保留了多晶并保留了衬底上的多晶的再氧化，
其中，所述步骤九中，所述多晶再氧化步骤中形成的氧化物通过HF湿法剥 离被去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810032697.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有基板辨识码的半导体封装构造及其制造方法
- 下一篇：引线保险管加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
