[发明专利]自对准硅化物工艺的监控方法无效
| 申请号： | 200810033050.4 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101494158A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张步新;王媛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 硅化物 工艺 监控 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自对准硅化物工艺的监控方法，其用于验证采用自对准硅化物工艺后形成于晶圆源漏极区表面的金属硅化物是否符合要求，其特征在于，所述监控方法是在形成有金属硅化物的源漏极区施加正向电压，测量源漏极区的正向导通电流；然后判断测量的正向导通电流是否在允许值范围内，若前者超出后者，则说明自对准硅化物工艺存在问题；若前者未超出后者，则说明自对准硅化物工艺符合要求。
2.如权利要求1所述的自对准硅化物工艺的监控方法，其特征在于，所述监控方法在晶圆完成后道制程后进行，其中所述正向电压的两端分别连接在与源漏极区电性连接的焊垫上。
3.如权利要求2所述的自对准硅化物工艺的监控方法，其特征在于，所述焊垫通过晶圆的金属互连线、钨插塞、金属硅化物与源漏极区电性连接。
4.如权利要求1所述的自对准硅化物工艺的监控方法，其特征在于，所述测量源漏极区正向导通电流的电路中串联一个限流电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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