[发明专利]一种半导体制造工艺中的掩模版图验证方法

权利要求书

1.一种半导体制造工艺中的掩模版图验证方法，其特征在于包括：

分别利用第一掩模以及第二掩模对一晶圆进行曝光，获得一晶圆曝光图；

对上述晶圆曝光图进行缺陷扫描，获得一晶圆缺陷扫描图；

根据上述晶圆缺陷扫描图判断上述第一掩模以及上述第二掩模是否一致。

2.根据权利要求1所述的掩模版图验证方法，其特征在于其中上述晶圆曝光图是分别利用上述第一掩模以及上述第二掩模对上述晶圆进行曝光获得的两个掩模曝光图合成而得的。

3.根据权利要求1所述的掩模版图验证方法，其特征在于其中上述晶圆曝光图包括多个第一掩模晶格和多个第二掩模晶格。

4.根据权利要求3所述的掩模版图验证方法，其特征在于其中上述晶圆缺陷扫描图包括多个第一掩模晶格位置和多个第二掩模晶格位置。

5.根据权利要求4所述的掩模版图验证方法，其特征在于其中上述判断步骤为根据上述晶圆缺陷扫描图中的上述这些第一掩模晶格位置和上述这些第二掩模晶格位置是否有同一位置重复出现的缺陷来判定上述第一掩模和上述第二掩模是否一致，当有同一位置重复出现的缺陷时判定上述第一掩模和上述第二掩模不一致，反之则判定上述第一掩模和上述第二掩模一致。

6.根据权利要求1所述的掩模版图验证方法，其特征在于其中上述晶圆曝光图是通过一晶圆曝光工具获得。

7.根据权利要求1所述的掩模版图验证方法，其特征在于其中上述晶圆缺陷扫描图是通过一晶圆缺陷扫描工具获得。

8.根据权利要求1所述的掩模版图验证方法，其特征在于其中上述第一掩模为旧掩模，上述第二掩模为新掩模，上述方法用于验证新旧两个掩模是否一致。

9.根据权利要求1所述的掩模版图验证方法，其特征在于其中该方法更包括根据上述方式获得至少另一张晶圆缺陷扫描图以确认该验证方法的结果。