[发明专利]一种半导体制造工艺中的掩模版图验证方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制造工艺中的版图验证方法，且特别涉及一种掩模版图的验证方法。

背景技术

在现代科技迅猛发展的今天，半导体产业已经成为一种不可缺少的组成部分，各种各样的高科技设备中均广泛应用到了半导体材料，比如在集成电路制造领域，半导体晶圆的制造就十分重要。

在半导体制造时，晶圆在制造过程期间会依序进行多个处理步骤，在晶圆进行曝光的程序时需要用到掩模，然而掩模可能会由于各种原因而损坏，比如人员的误操作，机器故障，或者严重的光罩缺陷，因此需要制作新的掩模。在传统的掩模制作程序中，新的掩模的质量检验需要参考半导体晶圆的试片合格率数据，而等待这个试片合格率数据产生的周期最少也需要一个月的时间，同时余下的大量程序也必须等到试片合格率的结果出来后才能继续，如此浪费了大量的时间同时进行试片合格率实验的成本也比较高昂。

在半导体的掩模制作过程中，可能会有一些异常图案形成在掩模上，在后续的曝光工艺中这些异常图案会被转移到晶圆上形成缺陷，于是出现了掩模缺陷探测工具，但是这类掩模缺陷探测工具不能用来验证新旧掩模是否具有相同的版图。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体制造工艺中的掩模版图验证方法，其包括分别利用第一掩模以及第二掩模对一晶圆进行曝光，获得一晶圆曝光图，对上述晶圆曝光图进行缺陷扫描，获得一晶圆缺陷扫描图，根据上述晶圆缺陷扫描图判断上述第一掩模以及上述第二掩模是否一致。

进一步的，其中上述晶圆曝光图是分别利用上述第一掩模以及上述第二掩模对上述晶圆进行曝光获得的两个掩模曝光图合成而得的。

进一步的，其中上述晶圆曝光图包括多个第一掩模晶格和多个第二掩模晶格。

进一步的，其中上述晶圆缺陷扫描图包括多个第一掩模晶格位置和多个第二掩模晶格位置。

进一步的，其中上述判断步骤为根据上述晶圆缺陷扫描图中的上述这些第一掩模晶格位置和上述这些第二掩模晶格位置是否有同一位置重复出现的缺陷来判定上述第一掩模和上述第二掩模是否一致，当有同一位置重复出现的缺陷时判定上述第一掩模和上述第二掩模不一致，反之则判定上述第一掩模和上述第二掩模一致。

进一步的，其中上述晶圆曝光图是通过一晶圆曝光工具获得。

进一步的，其中上述晶圆缺陷扫描图是通过一晶圆缺陷扫描工具获得。

进一步的，其中上述第一掩模为旧掩模，上述第二掩模为新掩模，上述方法用于验证新旧两个掩模是否一致。

进一步的，其中该方法更包括根据上述方式获得至少另一张晶圆缺陷扫描图以确认该验证方法的结果。

本发明分别利用新旧掩模对晶圆进行曝光，获得晶圆曝光图，再利用晶圆缺陷探测工具对晶圆曝光图扫描，通过上述方式得到晶圆缺陷扫描图，并根据上述晶圆缺陷扫描图进行不同晶格位置比较从而判断上述新旧掩模的版图是否一致，通过这种掩模版图验证方法可以非常直观而且准确的看出新旧掩模的版图是否一致，不需要参考试片合格率数据，因此也就不需要等待试片周期，同时也节约了进行试片合格率实验的成本。

附图说明

图1为依照本发明一较佳实施例的掩模版图验证方法的流程图；

图2为本发明一较佳实施例的获得晶圆曝光图的示意图；

图3a至图3c为本发明一较佳实施例的获得多张晶圆缺陷扫描图的示意图。

具体实施方式

为了更了解本发明的技术内容，特举较佳具体实施例并配合所附图式说明如下。