[发明专利]一种p型半导体掺镍氧化铜靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 200810036561.1 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101260507B | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张群;施展;杨铭;王颖华 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 氧化铜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种p型半导体掺镍氧化铜靶材，其特征在于：由氧化铜和氧化镍粉末按Cu1-xNixO，x＝0.01～0.15配比，经烧结而成，p型导电，其最高电导率达到3.9×10-3S·cm-1。
2.一种p型半导体掺镍氧化铜靶材的制备方法，其特征在于具体步骤如下：将纯度为99.8％以上的CuO粉末与纯度为99％以上的NiO粉末，按Cu1-xNixO，x＝0.01～0.15，成分比例混合研磨，用粉末压片机在压强为12-18MPa下干压成型；然后将靶材送入管式电阻炉中进行烧结处理，炉中通入高纯N2作为保护气体，炉温从室温升高到烧结温度800-1000℃，保温10-15小时，然后自然冷却到280-320℃，取出靶材；敲碎后再次研磨，用粉末压片机在18-22MPa下压制成形，再在管式电阻炉中进行烧结处理，重复上述条件制备得陶瓷靶材。
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