[发明专利]一种MOS器件的测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及MOS器件的测试领域，尤其涉及应用于探针卡测试晶圆级MOS器件的导通电阻的MOS器件的测试方法。

背景技术

在对制作好MOS器件的晶圆进行封装之前，都会对晶圆级的MOS器件进行CP(Circuit Probe)测试。在CP测试时，MOS器件的导通电阻(R_dson)是非常关键的参数。R_dson直接决定MOS器件导通工作时所消耗的功率。因此，对于低功耗集成芯片该参数的测试显得尤为重要。晶圆级MOS器件的导通电阻通常是用探针卡进行测试。探针卡(Probe Card)通常分5根探针的探针卡、20根探针的探针卡等不同探针数目的探针卡，根据不同的测试要求可选择探针数符合要求的探针卡。探针通过引线连接引出各自位于探针卡上若干接线点，这些接线点就是探针卡上的距离探针卡较远的接线柱或者距离探针较近的接线焊接点。探针用于接触MOS器件的源端和栅极。由于源端信号通常作为小信号处理，采用单针作为源端测试(Source Sense)针，根据测试时加载条件通常若干针作为源端加载(Source Force)针，单根探针作为MOS器件栅极加载(gate force)针与MOS栅极接触。这些探针通过引线引出的距离探针较远的接线柱与测试机连接。探针卡到测试机，由于源端测试针的信号易受各探针之间的引线干扰及因通过接线柱与测试机相连导致引入干扰电阻和插接损减，使得通过探针卡测得的源端电信号浮动大，从而使得通过探针卡测得的MOS器件的R_dson浮动过大。因此，传统测试方法测得MOS器件的R_dson结果不稳定，甚至出现了晶圆上MOS器件不可能出现的负值，因此使得测得结果无法为后续测试提供有效的参考数据。同时，因测试结果的不准确还会导致后续封装测试成本的浪费，淘汰导通电阻合格的MOS器件，从而降低晶圆上MOS器件的良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种MOS器件的测试方法，以解决传统MOS器件测试方法利用探针卡测试出的MOS器件源端测试针引出的测试信号不稳定导致测试的导通电阻值浮动较大的问题。

为达到上述目的，本发明的MOS器件的测试方法用于探针卡测试晶圆级MOS器件的导通电阻，该探针卡上具有若干用于接触MOS器件源端的探针，探针通过引线连接引出各自位于探针卡上若干接线点。本发明的MOS器件的测试方法是将探针卡上数个探针作为源端测试探针，将数个作为源端测试探针的接线点进行电性导通性连接；将探针卡数个探针作为源端加载探针，将数个作为源端加载探针的接线点进行电性导通性连接。其中，探针卡还包括单根与MOS器件栅极接触的栅极加载探针。接线点为探针卡上接线柱或探针卡上接线焊接点。接线焊接点为距探针卡上探针距离最近的接线焊接点。探针卡采用20根探针的探针卡，13根探针作为源端测试探针，6根探针作为源端加载探针。

与传统晶圆级MOS器件测试方法相比，本发明的MOS器件的测试方法，在保证一定测试要求下的源端加载针数目的前提下，将尽量多的探针作为源端测试针，使得有多个探针大面积分布在MOS器件源极，能准确的捕捉MOS器件源端的小信号。同时，将源端测试探针和加载探针分别引出的接线点进行导通性连接，减小了探针引线对源端测试针的测试信号干扰，提高了源端测试结果的稳定性和可靠性，从而提高了测试的导通电阻值的稳定性和准确性。

附图说明

以下结合附图和具体实施例对本发明的MOS器件的测试方法作进一步详细具体的描述。

图1是传统MOS器件的测试方法测出的导通电阻数据统计图。

图2是本发明MOS器件的测试方法测出的导通电阻数据统计图。

具体实施方式