[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，包括：

一基底；

多个掺杂区，配置于该基底中；

一第一栅极，配置于相邻两掺杂区之间的该基底上；

一第二栅极，配置于相邻两掺杂区之间的该基底上，其中该第二栅极与该第一栅极为分隔配置；

一导体层，配置于该第一栅极与该第二栅极的上方；

一第一接触窗插塞，配置于该第一栅极与该导体层之间；

一介电层，配置于该第一栅极与该第一接触窗插塞之间；

一第二接触窗插塞，配置于该第二栅极与该导体层之间；以及

一第一金属硅化物，配置于该第二栅极与该第二接触窗插塞之间。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，该导体层横跨于该第一栅极与该第二栅极的上方。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，还包括一第二金属硅化物，配置于该些掺杂区表面。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，该第一接触窗插塞的尺寸与该第一栅极的尺寸相等。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，该介电层的厚度介于至之间。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，该介电层的材料为氮化硅。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，该导体层的材料包括铝、铜、钨。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，该非易失性存储器为单次可编程只读存储器。

9.一种非易失性存储器的制造方法，包括：

提供一基底，该基底中已形成有多个掺杂区；

于相邻两掺杂区之间的该基底上形成一第一栅极；

于相邻两掺杂区之间的该基底上形成一第二栅极，其中该第二栅极与该第一栅极为分隔配置；

于该第一栅极上形成一介电层；

于该第二栅极上形成一第一金属硅化物；

于该介电层上形成一第一接触窗插塞；

于该金属硅化物上形成一第二接触窗插塞；以及

于该第一接触窗插塞与该第二接触窗插塞上形成一导体层，该导体层横跨于该第一栅极与该第二栅极的上方。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该第二栅极与该第一栅极为同时形成。

11.如权利要求9所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该第二接触窗插塞与该第一接触窗插塞为同时形成。

12.如权利要求9所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，还包括于该些掺杂区表面形成一第二金属硅化物。

13.如权利要求12所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该第一金属硅化物与该第二金属硅化物的形成方法包括：

于该基底上形成共形的一金属层，该金属层与该第二栅极、该些掺杂区相接触；

对该金属层进行一热制程，而使该金属层与第二栅极、该些掺杂区反应生成该第一金属硅化物与该第二金属硅化物；以及

移除未反应的该金属层。

14.如权利要求9所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该介电层为一自行对准金属硅化物阻挡层。

15.如权利要求9所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该第一接触窗插塞的尺寸与该第一栅极的尺寸相等。

16.如权利要求9所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该介电层的厚度介于至之间。

17.如权利要求9所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该第一接触窗插塞的形成方法包括：

于该基底与该导体层之间形成一介电材料层，该介电材料层覆盖该第一栅极、该介电层与该些掺杂区；

以该介电层为中止层，移除位于该第一栅极上方的该介电材料层，以形成一开口；以及

于该开口中填入一导体材料层。

18.如权利要求17所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该介电材料层与该介电层具有不同的蚀刻选择性。

19.如权利要求17所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该介电层的材料为氮化硅。