[发明专利]DRAM中存储单元的离子掺杂方法

权利要求书

1.一种DRAM中存储单元的离子掺杂方法，所述存储单元具有制作于硅基底内的有源区，位于硅基底有源区表面的若干掺杂结构字线，其特征在于，所述存储单元的离子掺杂方法包括以下步骤：

步骤1：氧化掺杂结构字线的表面及侧壁，以及相邻掺杂结构字线之间的硅基底表面；

步骤2：在所述已氧化的掺杂结构字线的表面及已氧化的硅基底表面涂覆光阻；

步骤3：去除欲进行掺杂的位于掺杂结构字线之间的已氧化的硅基底表面的光阻；

步骤4：将欲掺杂离子注入步骤3中已去除光阻的掺杂结构字线之间的硅基底内有源区。

2.如权利要求1所述的离子掺杂方法，其特征在于，所述光阻为负光阻。

3.如权利要求2所述的离子掺杂方法，其特征在于，所述步骤3是通过曝光、显影工艺去除位于掺杂结构字线之间的硅基底表面的负光阻。

4.如权利要求2所述的离子掺杂方法，其特征在于，所述步骤2涂覆负光阻的高度高于所述硅基底表面掺杂结构字线的高度。

5.如权利要求1所述的离子掺杂方法，其特征在于，所述掺杂结构字线包括依次位于硅基底有源区表面的栅结构字线层、字线欧姆接触层和字线掩模层；所述栅结构字线层包括依次位于硅基底有源区表面的栅介质层和栅极层。

6.如权利要求5所述的离子掺杂方法，其特征在于，所述字线欧姆接触层为硅化钨，所述字线掩模层为氮化硅，所述栅介质层为二氧化硅，所述栅极层为多晶硅。

7.如权利要求6所述的离子掺杂方法，其特征在于，所述步骤1中氧化是将所述掺杂结构字线表面的字线掩模层氮化硅的表面及侧壁氧化成一定厚度的氮氧化硅，将字线欧姆接触层硅化钨的侧壁氧化成一定厚度的硅氧化钨，将栅极多晶硅层的侧壁氧化成一定厚度的二氧化硅，将掺杂结构字线之间硅基底的表面氧化成一定厚度的二氧化硅。

8.如权利要求7所述的离子掺杂方法，其特征在于，所述氮氧化硅、硅氧化钨、 二氧化硅生成的氧化温度为120～300摄氏度、氧化介质为氧气或臭氧或氧气和臭氧的混合物，氧化时间约为5～30分钟，所述生成的氮氧化硅、硅氧化钨、二氧化硅的厚度小于20埃。 

9.如权利要求1所述的离子掺杂方法，其特征在于，所述相邻掺杂结构字线之间为位线接触孔或电容接触孔。 

10.如权利要求9所述的离子掺杂方法，其特征在于，所述欲进行掺杂的硅基底位于为位线接触孔的相邻掺杂结构字线之间。