[发明专利]集成电路中互连结构的制作方法

权利要求书

1.一种集成电路中互连结构的制作方法，其特征在于包括下列步骤：

a.在半导体基底上形成介电层，并在所述介电层上形成开口；

b.在所述开口内壁形成阻挡层；

c.在所述阻挡层上形成铜晶种层；

d.在所述铜晶种层上电镀铜导电层并退火；

e.至少执行一次在铜导电层上继续电镀铜导电层并退火的步骤，使各次电镀的铜导电层的厚度之和大于开口高度；

f.化学机械研磨所述铜导电层至与开口持平。

2.根据权利要求1所述的集成电路中互连结构的制作方法，其特征在于其中步骤e为执行2次在铜导电层上继续电镀铜导电层并退火的步骤。

3.根据权利要求1所述的集成电路中互连结构的制作方法，其特征在于其中每次进行的化学电镀处理为电镀一层厚度相同的铜导电层。

4.根据权利要求1所述的集成电路中互连结构的制作方法，其特征在于其中所述多层铜导电层的总厚度为大于3um。

5.根据权利要求1所述的集成电路中互连结构的制作方法，其特征在于其中所述退火处理的温度范围为100℃～300℃。

6.根据权利要求1所述的集成电路中互连结构的制作方法，其特征在于其中所述退火处理的时间设定为20s～300s。

7.根据权利要求1所述的集成电路中互连结构的制作方法，其特征在于其中所述退火处理在氮气和氢气的混合气体中进行。