[发明专利]静态随机存储器上拉晶体管阈值电压调整方法有效
| 申请号： | 200810041569.7 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101651121A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 刘兵武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静态 随机 存储器 晶体管 阈值 电压 调整 方法 | ||
1.一种静态随机存储器上拉晶体管阈值电压调整方法，包括：
(1)提供半导体衬底；
(2)于半导体衬底中形成共用栅极的上拉晶体管与下拉晶体管的有源区；
(3)于半导体衬底上形成栅极层；
(4)对所述下拉晶体管进行栅极刻蚀前注入；
(5)刻蚀上述栅极层，以形成所述上拉晶体管与下拉晶体管的共用栅极；
(6)对所述下拉晶体管进行后续离子注入，其特征是，上述步骤(4)与(6)中的注入离子为N型离子，且在进行步骤(4)或(6)中的离子注入前，包括：
设定相应离子注入区的边缘与所述上拉晶体管有源区的距离，且通过改变该距离来实现不同程度的上拉晶体管阈值电压调整，其中该边缘位于所述上拉晶体管有源区与下拉晶体管有源区之间；
利用光掩膜为所述下拉晶体管定义具有上述边缘的离子注入区。
2.根据权利要求1所述的上拉晶体管阈值电压调整方法，其特征是，其中上述后续离子注入包括阈值电压调整注入、晕注入、轻掺杂漏注入或源漏注入。
3.根据权利要求1所述的静态随机存储器上拉晶体管阈值电压调整方法，其特征是，其中通过减少上述离子注入区的边缘与所述上拉晶体管有源区的距离来提高所述上拉晶体管的阈值电压。
4.根据权利要求1所述的静态随机存储器上拉晶体管阈值电压调整方法，其特征是，其中通过增加上述离子注入区的边缘与所述上拉晶体管有源区的距离来降低所述上拉晶体管的阈值电压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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