[发明专利]NAND闪存及其制作方法有效
| 申请号： | 200810041826.7 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101656255A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 杨海玩;蔡建祥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nand 闪存 及其 制作方法 | ||
1.一种NAND闪存，包括栅极结构以及其上的字线结构，其特征在于，所 述字线结构包括栅极结构上的多晶硅层、多晶硅层上的用于阻挡离子的屏蔽 层、屏蔽层上的导电层，所述屏蔽层为硅化钨，所述导电层为硅化钴，所述 多晶硅层的厚度为300埃。
2.如权利要求1所述的NAND闪存，其特征在于，所述屏蔽层的厚度为 400至500埃。
3.如权利要求1所述的NAND闪存，其特征在于，所述导电层的厚度为 300埃。
4.一种NAND闪存的制作方法，包括提供栅极结构以及在所述栅极结构上 形成字线结构，其特征在于，在所述栅极结构上形成字线结构包括下列步 骤：
在所述栅极结构上形成多晶硅层，所述多晶硅层的厚度为300埃；
在所述多晶硅层上形成用于阻挡离子的屏蔽层，所述屏蔽层为硅化钨；
在所述屏蔽层上形成导电层，所述导电层为硅化钴。
5.如权利要求4所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，所述屏蔽层 采用化学气相淀积的方法形成。
6.如权利要求4所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，所述屏蔽层 的厚度为400至500埃。
7.如权利要求4所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，在所述屏蔽 层上形成导电层包括：
在所述屏蔽层上形成反应层，所述反应层为多晶硅，厚度为300埃；
在所述反应层表面沉积钴离子；经过300℃的快速退火形成结晶的硅化 钴；再经过一次500℃的快速退火形成硅化钴层。
8.如权利要求4所述的NAND闪存的制作方法，其特征在于，所述导电层 的厚度为300埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
