[发明专利]NAND闪存及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器制作方法，特别涉及NAND闪存及其制作方法。

背景技术

闪存可分为NOR型和NAND型。其中，NAND型主要应用于MP3播放 机、数字相机、数字摄录像机及移动电话等电子产品的存储卡上。

例如，申请号为200610101580.9的中国专利申请公开了一种NAND闪存 器件，包括半导体衬底、字线、第一和第二选择线、隧道绝缘层和选择栅绝 缘层。半导体衬底包括存储晶体管区和选择晶体管区。字线排列在半导体衬 底的存储晶体管区，选择线排列在半导体衬底的选择晶体管区。隧道绝缘层 插入字线和半导体衬底之间，选择栅绝缘层插入选择线和半导体衬底之间， 并具有比隧道氧化物层更薄的厚度。同样，选择栅绝缘层在其中心区域具有 比其边缘部分更薄的厚度。

而对具有字线的NAND闪存器件的一种具体实现方式，参照图1所示， 包括第一多晶硅层1、氮化硅-氧化硅-氮化硅(ONO)层2、第二多晶硅层 3和硅化钨层4。第二多晶硅层3和硅化钨层4作为字线。

然而，随着目前存储器尺寸的不断减小，由于硅化钨具有较高的片电阻， 因而作为字线将使得所述NAND闪存的延迟增大，从而影响NAND闪存的性 能。

而目前还有采用硅化钴与多晶硅结合作为字线，然而硅化钴由于其片电 阻较小，为了避免漏电流通过该层泄漏到所述ONO下，所述多晶硅的厚度就 需要增大，从而增大了存储器单元间的耦合电容。

另外，目前也有采用具有较小电阻的钨与多晶硅结合作为字线，然而钨 工艺的兼容性较差，若采用钨工艺，则后续相应工艺都需特殊定制，从而也 会增加工艺成本。

发明内容

本发明提供一种NAND闪存及其制作方法，提高NAND闪存的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种NAND闪存，包括栅极结构以及其上 的字线结构，所述字线结构包括栅极结构上的多晶硅层、多晶硅层上的用于 阻挡离子的屏蔽层、屏蔽层上的导电层。

相应地，本发明还提供一种NAND闪存的制作方法，包括提供栅极结构 以及在所述栅极结构上形成字线结构，在所述栅极结构上形成字线结构包括 下列步骤：

在所述栅极结构上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成用于阻挡离子的屏蔽层；

在所述屏蔽层上形成导电层。

与现有技术相比，上述所公开的NAND闪存及其制作方法具有以下优点： 由于所述屏蔽层可以较好地阻挡离子进入到屏蔽层下的栅极结构，因而所述 屏蔽层的厚度可以较薄，有效地降低了字线结构的厚度，而导电层的电阻较 小，因而也可以有效地降低字线结构的阻值，从而降低由于字线结构的阻值 而引起的器件延迟，提高所述NAND闪存的性能。

附图说明

图1是现有技术NAND闪存示意图；

图2是本发明NAND闪存的一种实施方式示意图；

图3是本发明NAND闪存的制作方法的一种实施方式示意图；

图4A至图4F是图3所示制作NAND闪存的示意图；

图5是图3所示NAND闪存制作方法中形成导电层的实施例图。

具体实施方式

根据本发明NAND闪存的一种实施例，由于屏蔽层可以较好地阻挡离子 进入到屏蔽层下的栅极结构，因而所述屏蔽层的厚度可以较薄，有效地降低 了字线结构的厚度，而导电层的电阻较小，因而也可以有效地降低字线结构 的阻值，从而降低由于字线结构的阻值而引起的器件延迟，提高所述NAND 闪存的性能。

参照图2所示，本发明NAND闪存的一种实施方式包括栅极结构及其上 的字线结构，其中所述栅极结构包括：第一多晶硅层10、第一多晶硅层10上 的ONO层20；而所述字线结构包括：所述ONO层20上的第二多晶硅层30、 第二多晶硅层30上的屏蔽层40以及屏蔽层40上的导电层60。