[发明专利]一种GaN基发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种GaN基发光二极管，其包括，

衬底层：其衬底层为蓝宝石衬底，该层位于该发光二极管的底部；

半导体层：半导体层为GaN基，该层位于衬底层上方，包括N型半导体层、发光层及P型半导体层；

透明导电层：透明导电层为铟锡氧化物、镍金或其混合物组成，该层位于半导体层之上；

保护层：该层位于发光二极管的最上层；

其特征在于：所述透明导电层设置若干凹槽，所述凹槽具有类似光子晶体的微结构，所述凹槽为列状排列、栅格状排列或网状排列，用于提高发光二极管的出光效率。

2.如权利要求1所述的一种GaN基发光二极管，其特征在于：其凹槽的深度为0.01d～d，凹槽的平面宽度a为1um~10um，间隙b为1um~10um。

3.如权利要求1所述的一种GaN基发光二极管，其特征在于：其凹槽的深度为0.45d～0.55d，凹槽的平面宽度a为2um~4um，间隙b为2um~4um。

4.一种如权利要求1至3任意一项所述的一种GaN基发光二极管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一，利用有机金属气相沉积技术在衬底上生长出GaN半导体层，该层包括N型氮化镓层，发光区及P型氮化镓层；

步骤二，利用镀膜技术在半导体层上蒸镀一层透明导电层，该蒸镀厚度d为～，形成透明导电层；

步骤三，利用光刻及刻蚀技术进行局部刻蚀，使部分N型氮化镓层露出；

步骤四，设计一张所需类光子晶体图形的光刻掩模版，用光刻胶形成掩模，对透明导电层进行蚀刻，且通过蚀刻时间控制蚀刻厚度；

步骤五，利用光刻及蒸镀技术在NP层上蒸镀电极；

步骤六，利用等离子体化学气相沉积技术在透明导电层上沉积保护膜。

5.如权利要求4所述的一种GaN基发光二极管的制造方法，其特征在于：其对透明导电层蚀刻凹槽的深度为0.01d～d，凹槽的平面宽度a为1um~10um，间隙b为1um~10um。

6.如权利要求4所述的一种GaN基发光二极管的制造方法，其特征在于：其对透明导电层蚀刻凹槽的深度为0.45d～0.55d，凹槽的平面宽度a为2um~4um，间隙b为2um~4um。