[发明专利]一种氧化物薄膜的湿法刻蚀装置无效

专利信息
申请号: 200810042663.4 申请日: 2008-09-09
公开(公告)号: CN101404303A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 刘古岩;郑飞璠;夏芃 申请(专利权)人: 上海拓引数码技术有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/3213
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 邓 琪
地址: 200234上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化物 薄膜 湿法 刻蚀 装置
【权利要求书】:

1、一种薄膜基片的湿法刻蚀装置,包括一刻蚀槽(8)和一装载薄膜基片(2)的载体(9),其特征在于:所述刻蚀槽(8)底部是弧形;所述载体(9)设有车轮(1),沿刻蚀槽(8)底部运动。

2、如权利要求1所述的薄膜基片的湿法刻蚀装置,其特征在于:所述刻蚀槽(8)底部设有轨道,车轮(1)沿轨道运动。

3、如权利要求2所述的氧化物薄膜的湿法刻蚀装置,其特征在于:所述载体(9)上设有基片夹(4),固定薄膜基片(2)。

4、如权利要求3所述的氧化物薄膜的湿法刻蚀装置,其特征在于:所述载体(9)底部两侧各设有两个车轮(1);沿刻蚀槽(8)的底部设有两条弧形轨道(6)。

5、如权利要求4所述的氧化物薄膜的湿法刻蚀装置,其特征在于:所述刻蚀槽(8)的出入口分别设有水平轨道(7),水平轨道(7)与弧形轨道(6)相接。

6、如权利要求5所述的薄膜基片的湿法刻蚀装置,其特征在于:所述刻蚀槽(8)上有盖板(5),盖板(5)不干涉载体(9)进出刻蚀槽(8)。

7、如权利要求6所述的氧化物薄膜的湿法刻蚀装置,其特征在于:所述载体(9)的高度小于刻蚀槽(8)的深度。

8、如权利要求5或6所述的氧化物薄膜的湿法刻蚀装置,其特征在于:还包括一控制单元,所述控制单元控制载体(9)运动。

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