[发明专利]一种氧化物薄膜的湿法刻蚀装置无效
申请号: | 200810042663.4 | 申请日: | 2008-09-09 |
公开(公告)号: | CN101404303A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 刘古岩;郑飞璠;夏芃 | 申请(专利权)人: | 上海拓引数码技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/3213 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 邓 琪 |
地址: | 200234上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化物 薄膜 湿法 刻蚀 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种刻蚀装置,特别涉及一种氧化物薄膜绒面的湿法刻蚀装置。
背景技术
目前,在太阳能电池的生产中,通常将太阳能电池的入射面制备成类似“金字塔”式的绒面结构,使同一束光在绒面之间多次反射,提高入射光的散射,绒面起到了“陷光”的作用,有效降低入射光的反射,延长光线在电池有源层的度越时间,增强了光的吸收,增加电池的光电转换效率。所以在晶硅电池制备过程中,需要对硅片表面进行氢氟酸蚀刻制绒;在第二代薄膜电池中,前电极氧化物薄膜也需进行绒面处理,一般使用稀盐酸溶液对其进行酸刻制绒。
不过,传统制绒工艺在批量生产、流水作业及绒面均匀度上都存在弊端,如常用的薄膜电池的前电极制绒方式是将盛放镀有透明导电膜的基片的盛放架从下而上置入酸液槽中,静置一段时间后,再将架子取出。这种制绒方式存在两个问题:其一,最上面的基片最后进入酸液槽,最先从酸液槽中出来,因而会造成基片间刻蚀的不均匀性;其二,由于基片在蚀刻过程中处于静置状态,刻蚀导致局部溶液酸性降低会使得对氧化物薄膜刻蚀的速度下降。这些制绒工艺均难以达到预期快速,均匀的刻蚀效果。
所以,现有技术的缺点是:
1.由于基片先后进入酸液槽,浸在酸液槽中的时间长短不同,造成基片之间的受刻蚀成度不均匀,产品质量不高。
2.每次放置基片的架子从进入到取出酸液槽的过程都造成了后一个架子的等待时间,生产效率低下。
3.由于基片在刻蚀过程中处于静止状态,酸液被反应而稀释,造成基片蚀刻过程的过程中基片附近的酸液浓度不断下降,延长了生产周期。
发明内容
针对现有技术存在的不足之处,本发明提供一种氧化物薄膜的湿法刻蚀装置,它能够保证每一片基片的受反应时间相同,刻蚀均匀;保证基片蚀刻过程的局部酸液浓度,提高了酸液的利用率。
为了达到上述目的,本发明提供一种薄膜基片的湿法刻蚀装置,包括一刻蚀槽和一装载薄膜基片的载体,所述刻蚀槽底部是弧形;所述载体设有车轮,沿刻蚀槽底部运动。
所述刻蚀槽底部设有轨道,车轮沿轨道运动。
所述载体上设有基片夹,固定薄膜基片。
所述载体底部两侧各设有两个车轮;沿刻蚀槽的底部设有两条弧形轨道。
所述刻蚀槽的出入口分别设有水平轨道,水平轨道与弧形轨道相接。
所述刻蚀槽上有盖板,盖板不干涉载体进出刻蚀槽。
所述载体的高度小于刻蚀槽的深度。
所述的氧化物薄膜的湿法刻蚀装置,还包括一控制单元,控制单元控制载体运动。
本发明由于采用了以上技术方案,使之与现有技术相比,具有以下优点和积极效果:
1.保证基片浸在酸液槽中的时间相同,基片之间的受刻蚀程度均匀,提高产品质量。
2.使用了流水线生产的设计理念,取消了等待时间,加快了生产效率。
3.在小车的带动下,基片在刻蚀过程中处于运动状态,保证了酸液的浓度波动范围较小,缩短了生产周期。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。
在附图中:
图1是本发明中小车的主意图。
图2是本发明中小车的侧视图。
图3是本发明中弧形刻蚀槽的示意图。
图4是本发明中小车驶入刻蚀槽的示意图。
图5是本发明中小车在刻蚀槽中运动的示意图。
图6是本发明中小车驶出刻蚀槽的示意图。
附图标号:
[1]轮子 [2]基片 [3]后侧面 [4]基片夹
[5]盖板 [6]弧形轨道 [7]水平轨道 [8]刻蚀槽
[9]载体 [h]小车高度 [H]刻蚀槽深度 [O]圆心
具体实施方式
下面结合说明书附图1-6来介绍本发明的一种较佳实施例。
如图1和2所示,本发明使用带有4个轮子1的小车作为装载基片2的载体9,小车高为h,小车底部两边各装有2个车轮,上部的层叠放置了50片薄膜基片2,并通过基片夹4固定,使基片2在小车的运动中不会掉落。控制单元通过传动装置连接在小车的后侧面3,控制小车的运动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的