[发明专利]利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法

权利要求书

1.一种利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法，包括如下步骤：(1)多晶硅栅淀积；(2)氮化膜阻挡层淀积；(3)光刻定义多晶硅栅图形；(4)刻蚀形成多晶硅栅；(5)湿法清洗去除刻蚀过程中生成的聚合物及光刻胶剥离；(6)多晶硅栅侧壁氧化；其特征在于：在步骤(6)中，首先进行原位低温氧化，在多晶硅栅侧壁上生成一层热氧化层作为磷外扩散的阻挡层，然后再升高温度在多晶硅栅侧壁生长氧化膜。

2.如权利要求1所述的利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法，其特征在于，所述的热氧化层为35埃的薄氧层。

3.如权利要求1或2所述的利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法，其特征在于，所述原位低温氧化步骤的温度为650℃-900℃，时间为1秒-100分钟，氧气流量为50sccm-10slm，压力为50mtorr-1000torr。

4.如权利要求1所述的利用原位低温氧化减少多晶硅栅中磷扩散的方法，其特征在于，在步骤(6)中，先在800℃在多晶硅栅侧壁生长35埃的薄氧层，再升高温度在900℃在多晶硅栅侧壁生长氧化膜，保证总氧化膜的厚度达到50埃。