[发明专利]LDMOS晶体管中的沟道形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管中的沟道形成方法，其特征在于：在硅衬底上进行深阱注入之后，包括如下步骤：

1)在硅表面生长一氧化层作为注入阻挡层；

2)利用光刻工艺进行定义有源区，并以光刻形成的光刻胶图案为掩膜，刻蚀未被光刻胶覆盖的氧化层至硅表面，后去除光刻胶；

3)氧化使裸露的硅表面生长一氧化硅作为注入保护层，接着利用光刻工艺定义出基区，以所形成的光刻胶图案为掩膜，进行离子注入形成基区，所述基区即为所述LDMOS晶体管的沟道。

2.按照权利要求1所述的沟道形成方法，其特征在于：所述步骤一中的氧化层厚度为4000-10000埃之间。

3.按照权利要求1所述的沟道形成方法，其特征在于：所述步骤一中的氧化层采用热氧化或淀积的方法制备而成。

4.按照权利要求1-3中任一项所述的沟道形成方法，其特征在于：所述步骤三之后还包括用湿法处理所述氧化层使其顶角圆滑化的步骤。

5.按照权利要求1-3中任一项所述的沟道形成方法，其特征在于：所述步骤三之后还包括在硅衬底上接着淀积另一氧化层，之后刻蚀所述另一氧化层使在步骤二刻蚀后形成的台阶处形成侧墙的步骤。

6.按照权利要求1所述的沟道形成方法，其特征在于：所述步骤一中的氧化层由下层氧化层、中间氮化物和上层氧化层组成的三明治结构替代，所述步骤三之后还包括将所述中间氮化物和所述上层氧化层去除的步骤。