[发明专利]横向扩散MOS晶体管的版图设计的方法

权利要求书

1.一种横向扩散MOS晶体管的版图设计方法，其特征在于：将作为横向扩散MOS晶体管的源区和漏区的阱分别设计为正方形，每个作为源区的阱四周都有作为漏区的阱围绕，同时每个作为漏区的阱四周都有作为源区的阱围绕；后在所述作为漏区的阱的正方形中定义一边长较小的正方形区域为漏区的有源区，在所述作为源区的阱上和所述漏区定义薄氧化层区作为有源区，剩余作为漏区的阱的环状部分为场氧化区；多晶硅位于源区正方形和漏区正方形相接处，并覆盖整个沟道区和部分场氧化区；在整个区域的硅外延层下增加埋层离子注入区；最后在薄氧化层区设计电位引出区和接触孔。

2.按照权利要求1所述的版图设计方法，其特征在于：先定义出一3×3的正方形阵列单元，所述正方形阵列中作为横向扩散MOS晶体管的源区和漏区的阱的正方形交替排列；将多个所述正方形阵列单元通过所述正方形阵列单元四角中的任一个作为源区的阱的正方形与另一个正方形阵列单元中的一角作为源区的阱的正方形重叠进行拼接，形成多个横向扩散MOS晶体管的网络状排列。

3.按照权利要求2所述的版图设计方法，其特征在于：在所述3×3的正方形阵列单元中，所述作为源区的阱的正方形设计为放置于所述3×3的正方形阵列单元的单个正方形中，但其边长小于所述3×3的正方形阵列单元中单个正方形的正方形，该单个正方形中的其余部分设计为所述作为漏区的阱的注入区域。