[发明专利]一种防静电保护结构及其制作方法

权利要求书

1.一种防静电保护结构，包括P型衬底及其上面的N型深阱，所述N 型深阱上设置有P阱，所述P阱包括高压P阱和包含在高压P阱内的低压P 阱，所述P阱与N型深阱上设置有第一多晶硅栅，所述第一多晶硅栅的左 部覆盖高压P阱和低压P阱，右部覆盖N型深阱，所述第一多晶硅栅的左 侧下方设置有第一N+扩散区，所述第一N+扩散区左侧还设置有一个P+扩散 区，所述P+扩散区的左侧设置有第一场氧化区，所述P+扩散区与所述第一 N+扩散区之间相隔有第二场氧化区，所述P+扩散区、第一N+扩散区和第一 多晶硅栅接地，所述第一多晶硅栅的右侧下方位于N型深阱之上设置有第 三场氧化区，所述第三场氧化区右侧设置有第二N+扩散区，所述第二N+扩 散区的右侧设置有第四场氧化区，所述第二N+扩散区连接输出入焊垫，其 特征在于，所述N型深阱范围内，位于第二N+扩散区和第四场氧化区的下 方还设置有一个N阱，所述N阱的下方还设置有一个N型二次扩散区。

2.一种如权利要求1所述的防静电保护结构的制作方法，其特征在于， 在所述场氧化区形成之后，N阱形成之前，通过增加一次离子注入形成所述 N型二次扩散区。

3.根据权利要求2所述的防静电保护结构的制作方法，其特征在于， 制作所述N型二次扩散区时，离子注入的杂质类型与N型深阱杂质类型相 同；注入的能量要确保浓度的峰值处于高压P阱和低压P阱之间；注入的 剂量与N阱最深的一次注入剂量相同；注入的位置要处在N阱的正下方， 并与高压P阱保持一定的距离，从而在漏区下方形成一路低阻通道，该低 阻通道与N阱相连，且不影响N型深阱与高压P阱的结击穿电压。