[发明专利]CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池

权利要求书

1.一种CdTe薄膜太阳电池的腐蚀方法，其特征是：先把待腐蚀的CdTe薄膜样品放入硝酸、冰乙酸、去离子水和NaAc组成的腐蚀液中，温度控制在20℃～50℃，时间1～15分钟；然后把腐蚀后的CdTe薄膜样品用去离子水冲洗，并用氮气吹干；最后，在腐蚀的CdTe薄膜样品上沉积背接触层和背电极以制备CdTe太阳电池。

2.如权利要求1所述的CdTe薄膜太阳电池的腐蚀方法，其特征是：腐蚀液中硝酸的质量百分比65％～68％，冰乙酸的质量百分比为99.5％，硝酸、冰乙酸、去离子水的体积比为(1～5)∶(60～100)∶(10～60)，NaAc为1g/L～30g/L。

3.如权利要求1所述的CdTe薄膜太阳电池的腐蚀方法，其特征是：CdTe薄膜样品的结构为玻璃衬底/透明导电膜/n-CdS/p-CdTe，并经过了CdCl₂退火处理。

4.如权利要求1所述的CdTe薄膜太阳电池的腐蚀方法，其特征是：背接触层为含Cu或不含Cu材料，为ZnTe:Cu、HgTe:Cu、Sb₂Te₃或NiTe₂中的任一种，厚度30nm～200nm。

5.如权利要求1所述的CdTe薄膜太阳电池的腐蚀方法，其特征是：背电极为Ni、Ni/Al合金或Au中的一种，厚度100nm～3μm。