[发明专利]一种VDMOS器件

权利要求书

1、一种N沟道VDMOS器件，包括栅极(1)、隔离介质(2)、源极(3)、N⁺源区(4)、P型基区(5)、N^-漂移区(6)、N⁺衬底(8)和漏极(9)，其特征在于，它还具有N⁺层(7)，所述N⁺层(7)位于P型基区(5)和N^-漂移区(6)之间。

2、根据权利要求1所述的N沟道VDMOS器件，其特征是，所述N⁺层(7)的形状是规则或非规则的方形、圆形或条形。

3、根据权利要求1所述的N沟道VDMOS器件，其特征是，所述N⁺层(7)和P型基区(5)的距离根据VDMOS的具体导通特性、击穿特性和固有体二极管的要求来具体设定。

4、根据权利要求1所述的N沟道VDMOS器件，其特征是，所述N⁺层(7)的掺杂浓度、长度或厚度根据VDMOS的具体导通特性，击穿特性和固有体二极管的要求来具体设定。

5、一种P沟道VDMOS器件，包括栅极(1)、隔离介质(2)、源极(3)、P⁺源区(4′)、N型基区(5′)、P^-漂移区(6′)、P⁺衬底(8′)和漏极(9)，其特征在于，它还具有P⁺层(7′)，所述P⁺层(7′)位于N型基区(5′)和P^-漂移区(6′)之间。

6、根据权利要求5所述的P沟道VDMOS器件，其特征是，所述P⁺层(7)的形状是规则或非规则的方形、圆形或条形。

7、根据权利要求5所述的P沟道VDMOS器件，其特征是，所述P⁺层(7)和N型基区(5′)的距离根据VDMOS的具体导通特性、击穿特性和固有体二极管的要求来具体设定。

8、根据权利要求5所述的P沟道VDMOS器件，其特征是，所述P⁺层(7)的掺杂浓度、长度或厚度根据VDMOS的具体导通特性，击穿特性和固有体二极管的要求来具体设定。