[发明专利]具有倍频功能的透红外硫系卤化物玻璃陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.具有倍频功能的透红外硫系卤化物玻璃陶瓷，其特征在于它的组成按化学式表示为：xGeS₂·yGa₂S₃·zAgX，其中，x表示GeS₂所占摩尔％，y表示Ga₂S₃所占摩尔％，z表示AgX所占摩尔％，且x＝10～90％(摩尔)，y＝5～35％(摩尔)，z＝5～60％(摩尔)，x+y+z＝100％(摩尔)；X为Cl、Br或I。

2.根据权利要求1所述的具有倍频功能的透红外硫系卤化物玻璃陶瓷，其特征在于：所述的x＝20～80％(摩尔)，y＝10～30％(摩尔)，z＝10～50％(摩尔)。

3.根据权利要求1所述的具有倍频功能的透红外硫系卤化物玻璃陶瓷，其特征在于：所述的AgX与Ga₂S₃的摩尔百分比为R，且1∶1≤R≤1∶2。

4.如权利要求1所述的具有倍频功能的透红外硫系卤化物玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1).选取原料：按照xGeS₂·yGa₂S₃·zAgX，其中，x表示GeS₂所占摩尔％，y表示Ga₂S₃所占摩尔％，z表示AgX所占摩尔％，且x＝10～90％(摩尔)，y＝5～35％(摩尔)，z＝5～60％(摩尔)，x+y+z＝100％(摩尔)；X为Cl、Br或I；

选取单质Ge、Ga、S和AgX原料备用；

2).在充满惰性气体的环境中，将单质Ge、Ga、S和AgX原料混合，经研磨混合制成配合料；将配合料置于容器中并抽真空，真空度为10^-4～10^-6Pa，而后熔封容器并置于加热设备中；

3).基础玻璃的制备：对步骤2)的装有配合料的容器加热，首先缓慢升温至595℃～605℃，并在此温下保温3～5小时，然后再以小于3℃/分的速率缓慢升温至800℃～950℃，保温10～15小时，静置1～3小时后通过空气淬冷或冰水混合物淬冷盛有玻璃液的容器，而后立即放入加热到300～400℃温度的退火炉中保温0.5～6小时进行退火处理，退火完成后切片、抛光即获得基础玻璃；

4).将制备的基础玻璃片放入具有惰性气氛保护装置的晶化炉中，升温至310～420℃，恒温0.5～10小时，进行核化；然后将温度提高到320～450℃，恒温2～24小时，完成晶化；再将温度下调到300～400℃，恒温1小时，消除应力，随炉冷却后出炉，抛光后即得具有倍频功能的透红外硫系卤化物玻璃陶瓷成品。

5.根据权利要求4所述的具有倍频功能的透红外硫系卤化物玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于所述的单质Ge、Ga、S的纯度分别≥99.99％，AgX的纯度≥99.9％。