[发明专利]用三乙醇胺络合水基电沉积液制备硫氰酸亚铜薄膜的方法无效
| 申请号： | 200810052581.8 | 申请日： | 2008-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101252154A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 靳正国;倪勇;付亚楠;余芬 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01G9/032;H01G9/20;H01M14/00;H01M10/38;C25D9/04 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三乙醇胺 络合 水基电 沉积 制备 氰酸 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备p型硫氰酸亚铜薄膜的方法，制备步骤如下：
(1)在搅拌条件下，在0.01～0.1MCuSO4水溶液中首先加入三乙醇胺即TEA，以稳定络合Cu离子，CuSO4/TEA摩尔比为1∶10～1∶30，获得稳定的铜-TEA络合物CuIITEA的水溶液；再将KSCN加入到CuIITEA水溶液中，Cu+2/SCN-1摩尔比从2∶1至1∶10，得到pH＝8.5-9的稳定水基电解液；
(2)将清洗后的氧化铟锡导电玻璃作为沉积基底，放入到三电极电池中，沉积温度为0～50℃，沉积电压-200～-500mV vs.Ag/AgClsat，经电沉积时间0.5h后制得CuSCN薄膜。
2.根据权利要求1的p型硫氰酸亚铜薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)水基电解液为含有0.01MCuSO4、0.10MTEA和0.05MKSCN的水基电解液。
3.根据权利要求1的p型硫氰酸亚铜薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)的沉积温度为20℃，沉积电压为-500mV，电沉积0.5h。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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