[发明专利]高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法

权利要求书

1.一种高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其特征在于该方法采用下述工艺步骤：(1)、采用等离子增强化学气相淀积法淀积Si₃N₄层或SiO₂层；

(2)、对上步骤中淀积的Si₃N₄层或SiO₂层进行氧化；

(3)、采用等离子增强化学气相淀积法淀积与前一淀积层不相同的SiO₂层或Si₃N₄层；

(4)、对上步骤中淀积的SiO₂层或Si₃N₄层氧化致密；

其中，所述Si₃N₄层的氧化采用湿氧氧化，氧化温度为800℃-1100℃，氧化时间为1.5h-2.5h；所述SiO₂层的氧化采用湿氧氧化，氧化温度为800℃-1000℃，氧化时间为0.25h-1.5h。

2.根据权利要求1所述的高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其特征在于，淀积的Si₃N₄层厚度小于时，氧化时间为1.5h；淀积的Si₃N₄层厚度大于或等于时，氧化时间为2h。

3.根据权利要求1所述的高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其特征在于，淀积的SiO₂层厚度小于时，氧化时间为15min-40min；淀积的SiO₂层厚度大于或等于时，氧化时间为1h。

4.根据权利要求1所述的高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其特征在于在，采用干氧氧化Si₃N₄层和SiO₂层，氧化温度为800℃-1000℃。