[发明专利]基于强关联电子体系的有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括阳极、空穴传输层、发光兼电子传输层和阴极，或者包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极，其特征在于：在发光兼电子传输层与阴极之间或者电子传输层与阴极之间还包括由强关联电子体系化合物形成的电子注入层。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述强关联电子体系化合物形成的电子注入层厚度为1-10nm。

3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述强关联电子体系化合物选自某些氧化物和有机强关联体系化合物，所述某些氧化物包括氧化锰、氧化镍、氧化钴、三氧化二钒、高温超导体的铜氧化合物；所述有机强关联体系化合物包括(4，4’，5，5’-双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高氯酸盐、四甲基四硒代富瓦烯高氯酸盐、(4，4’，5，5’-双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高铼酸盐。

4.一种有机电致发光器件，依次包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极，其特征在于：所述电子传输层由有强关联电子体系化合物单独或混合其他有机电子传输材料构成。

5.如权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述电子传输层中强关联电子体系化合物与其他有机电子传输材料的质量比为1∶0-60。

6.如权利要求4或5所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述强关联电子体系化合物选自某些氧化物和有机强关联体系化合物，所述某些氧化物包括氧化锰、氧化镍、氧化钴、三氧化二钒、高温超导体的铜氧化合物；所述有机强关联体系化合物包括(4，4’，5，5’-双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高氯酸盐、四甲基四硒代富瓦烯高氯酸盐、(4，4’，5，5’-双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高铼酸盐。

7.一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

1)在阳极上蒸镀或溶液旋涂空穴传输层；

2)在空穴传输层上蒸镀或溶液旋涂发光兼电子传输层，或者，先蒸镀或溶液旋涂发光层，再蒸镀或溶液旋涂电子传输层；

3)在发光兼电子传输层或电子传输层上蒸镀或溶液旋涂一层强关联电子体系化合物作为电子注入层；

4)在电子注入层上蒸镀阴极。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：步骤3)中所述的强关联电子体系化合物选自某些氧化物和有机强关联体系化合物，所述某些氧化物包括氧化锰、氧化镍、氧化钴、三氧化二钒、高温超导体的铜氧化合物；所述有机强关联体系化合物包括(4，4’，5，5’-双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高氯酸盐、四甲基四硒代富瓦烯高氯酸盐、(4，4’，5，5’-双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高铼酸盐；所制作的电子注入层的厚度为1-10nm。

9.一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

1)在阳极上蒸镀或溶液旋涂空穴传输层；

2)在空穴传输层上蒸镀或溶液旋涂发光层；

3)在发光层上蒸镀或溶液旋涂强关联电子体系化合物或者有机电子传输材料和强关联电子体系化合物的混合物形成电子传输层；

4)在电子传输层上蒸镀阴极

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中强关联电子体系化合物与电子传输材料的质量比为1∶0-60；所述强关联电子体系化合物选自某些氧化物和有机强关联体系化合物，所述某些氧化物包括氧化锰、氧化镍、氧化钴、三氧化二钒、高温超导体的铜氧化合物；所述有机强关联体系化合物包括(4，4’，5，5’-双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高氯酸盐、四甲基四硒代富瓦烯高氯酸盐、(4，4’，5，5’-双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高铼酸盐。