[发明专利]基于强关联电子体系的有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于有机电致发光器件(OLED)领域，具体涉及一种基于强关联电子体系的有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

OLED器件的结构依次是阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极。在器件两端加电压时，空穴和电子分别从阳极、阴极注入，传输，在发光层复合形成激子，激子退激辐射发光。

为改善器件性能，通常在阳极和有机空穴传输层之间增加一层缓冲层，或在阴极和有机电子传输层之间增加一层缓冲层，或者是在有机空穴传输层或有机电子传输层中进行掺杂。

阳极缓冲层通常采用高功函数的金属(如Pt，Au)、有机物(如聚噻吩PEDOT：PSS，金属酞氰类CuPc)、氧化物(如WO₃，MoO₃，V₂O₅，CuO_x，ReO₃，RuO_x，IrO_x)等，用于改善空穴的注入和传输性能。其中，将氧化物用于改善空穴的注入和传输性能的报道例如：文献1(Jingze Li，Masayuki Yahiro，Kenji Ishida，et al“enhanced performance of organiclight emitting device by insertion of conducting/insulating WO₃ anodic buffer layer”，SYNTHETIC METALS，151(2005)141-146)在阳极ITO表面采用电子束蒸发WO₃后热处理作为缓冲层，得到性能改善的器件；文献2(Dong-Seok Leem，Hyung-Dol Park，Jae-WookKang，et al“low driving voltage and high stability organic light-emitting diodes with rheniumoxide-doped transporting layer”APPLIED PHYSICS LETTERS，91，011113(2007))采用ReO₃掺杂在NPB中得到的器件在驱动电压、功率效率和寿命方面优于未掺杂的器件；文献3(H.C.Im，D.C.Choo，T.W.Kim，et al“Highly efficient organic light-emitting diodes fabricatedutilizing nickel-oxide buffer layers between the anodes and the hole transport layers”，THINSOLID FILM，515(2007)5099-5102)在阳极ITO表面采用热蒸发Ni后氧化成NiO作为缓冲层，得到效率提高的器件。现有的理论认为在空穴方面加入氧化物的器件性能得以提高的是源于更匹配的能级、更平滑的界面等。