[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法无效
申请号: | 200810056493.5 | 申请日: | 2008-01-18 |
公开(公告)号: | CN101487953A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 李丽;王威 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1362;G02F1/1343;G03F7/00;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 液晶显示器 及其 制造 方法 | ||
1、一种薄膜晶体管液晶显示器,包括彩膜基板和阵列基板,彩膜基板包括公共电极和第一取向层,阵列基板包括像素电极和第二取向层,其特征在于:所述第一取向层和/或第二取向层的材质为导电高分子聚合物。
2、根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器,其特征在于:所述像素电极的材质为导电高分子聚合物。
3、根据权利要求2所述的薄膜晶体管液晶显示器,其特征在于:所述像素电极和第二取向层为一体结构。
4、根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器,其特征在于:所述公共电极的材质为导电高分子聚合物。
5、根据权利要求4所述的薄膜晶体管液晶显示器,其特征在于:所述公共电极和第一取向层为一体结构。
6、根据权利要求1或2或3或4或5所述的薄膜晶体管液晶显示器,其特征在于:所述导电高分子聚合物的导电率大于等于200西门子/厘米。
7、一种薄膜晶体管液晶显示器制造方法,其特征在于,包括:
在彩膜基板上形成公共电极后,涂抹导电高分子聚合物膜层,并摩擦形成第一取向层;
在阵列基板上形成像素电极后,涂抹导电高分子聚合物膜层,并摩擦形成第二取向层;
清洗形成了第一取向层的彩膜基板和形成了第二取向层的阵列基板,并将液晶注入在所述第二取向层的表面;
将清洗后并注入液晶的阵列基板和彩膜基板对盒。
8、根据权利要求7所述的薄膜晶体管液晶显示器制造方法,其特征在于,所述形成像素电极具体为:在掩膜处理后的阵列基板上通过转印法涂敷形成像素电极膜层,并利用转印板沟槽形成像素电极图形。
9、根据权利要求7所述的薄膜晶体管液晶显示器制造方法,其特征在于,所述形成像素电极具体为:在掩膜处理后的阵列基板上通过等离子增强化学气相淀积法镀膜形成像素电极膜层,并通过曝光、显影、刻蚀、剥离形成像素电极图形。
10、根据权利要求7所述的薄膜晶体管液晶显示器制造方法,其特征在于,所述形成像素电极具体为:在掩膜处理后的阵列基板上通过喷墨法形成像素电极。
11、根据权利要求7或8或9或10所述的薄膜晶体管液晶显示器制造方法,其特征在于,所述导电高分子聚合物的导电率大于等于200西门子/厘米。
12、一种薄膜晶体管液晶显示器制造方法,其特征在于,包括:
在彩膜基板上由导电高分子聚合物形成公共电极,并在所述公共电极上摩擦形成第一取向层;
在阵列基板上由导电高分子聚合物形成像素电极,并在所述像素电极上摩擦形成第二取向层;
清洗形成了第一取向层的彩膜基板和形成了第二取向层的阵列基板,并将液晶滴注在所述第二取向层的表面;
将清洗后的彩膜基板和阵列基板对盒。
13、根据权利要求12所述的薄膜晶体管液晶显示器制造方法,其特征在于,所述形成像素电极具体为:在掩膜处理后的阵列基板上通过转印法涂敷形成像素电极膜层,并利用转印板沟槽形成像素电极图形。
14、根据权利要求12所述的薄膜晶体管液晶显示器制造方法,其特征在于,所述形成像素电极具体为:在掩膜处理后的阵列基板上通过等离子增强化学气相淀积法镀膜形成像素电极膜层,并通过曝光、显影、刻蚀、剥离形成像素电极图形。
15、根据权利要求12所述的薄膜晶体管液晶显示器制造方法,其特征在于,所述形成像素电极具体为:在掩膜处理后的阵列基板上通过喷墨法形成像素电极。
16、根据权利要求12或13或14或15所述的薄膜晶体管液晶显示器制造方法,其特征在于,所述导电高分子聚合物的导电率大于等于200西门子/厘米。
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