[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810056493.5 申请日: 2008-01-18
公开(公告)号: CN101487953A 公开(公告)日: 2009-07-22
发明(设计)人: 李丽;王威 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337;G02F1/1362;G02F1/1343;G03F7/00;H01L27/12
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘 芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 液晶显示器 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法,尤其是一种有效改善残像问题的薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display,以下简称LCD)由于具有面板薄、质量轻、辐射小、功耗低等优点,因此在平板显示器领域应用广泛,如将LCD作为手机、计算机、电视和个人数字助理的显示器。LCD一般分为单色和彩色两种,而彩色LCD又可分为超扭曲向列相(Super TwistedNematic,以下简称STN)LCD和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下简称TFT)LCD两种。TFT LCD是指液晶显示器上的每一液晶像素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动,从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息,TFT属于有源矩阵液晶显示器。TFT液晶显示屏的特点是亮度好、对比度高、层次感强、颜色鲜艳。如图1所示,为TFTLCD的结构示意图,TFT LCD由阵列基板和彩膜基板通过封框胶对盒而成。其中,彩膜基板包括彩膜玻璃基板11、黑矩阵(Black Matrix,以下简称BM)12、彩色树脂13、敷设有金属膜层ITO的公共电极14和取向层3及偏光片4,取向层3采用的材质是聚酰亚胺(PI),PI的单体是聚酰亚胺酸(PA),具有良好的可溶性,浓度和粘度调节容易,但不具导电性;阵列基板包括阵列玻璃基板21、栅电极22、绝缘层23、源漏电极24、半导体层25、敷设有金属膜层ITO的像素电极26和取向层3及偏光片4;阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶和隔垫物。驱动电路在TFT上形成的电场使得液晶转动,配合上下层偏光片4可以改变LCD的透过率以达到不同的显示效果。随着显示内容的逐渐提升,对显示器的性能和影像品质的要求也逐渐增加,其中,一个重要的要求是尽可能地减轻残像。

残像是指当LCD长时间显示固定的同一画面后,切换至下一画面时,会隐约残留上一个画面的图像。残像形成的原因是阵列基板和彩膜基板对盒后,盒内的自由离子会沿着电场方向往上下基板移动,最后聚集在取向层上。取向层、液晶、封框胶、隔垫物、电极等都是盒内自由离子的主要来源,其中一部分自由离子是由材料本身不纯带来的,另一部分是在工艺工程中由于电压、高温、光照射造成部分材料分解产生的,这些聚集的自由离子会产生电场,这个电场会对液晶分子的扭转产生影响,当切换至下一个画面时,聚集的自由离子无法在短时间内离开取向层,它引发的电场将使图像保持原来的状态,因此出现图像残留。

发明内容

本发明是提供一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法,用以解决现有技术由于自由离子聚集在取向层上造成的残像问题,实现有效地改善残像。

本发明第一个方面薄膜晶体管液晶显示器通过一些实施例提供了如下的技术方案:

一种薄膜晶体管液晶显示器,包括彩膜基板和阵列基板,彩膜基板包括公共电极和第一取向层,阵列基板包括像素电极和第二取向层,所述第一取向层和/或第二取向层的材质为导电高分子聚合物。

本发明第二个方面薄膜晶体管液晶显示器制造方法通过另一些实施例提供了如下的技术方案:

一种薄膜晶体管液晶显示器制造方法,包括:

在彩膜基板上形成公共电极后,涂抹导电高分子聚合物膜层,并摩擦形成第一取向层;

在阵列基板上形成像素电极后,涂抹导电高分子聚合物膜层,并摩擦形成第二取向层;

清洗形成了第一取向层的彩膜基板和形成了第二取向层的阵列基板,并将液晶滴注在所述第二取向层的表面;

将清洗后的彩膜基板和阵列基板对盒。

本发明第二个方面薄膜晶体管液晶显示器制造方法通过再一些实施例提供了如下的技术方案:

一种薄膜晶体管液晶显示器制造方法,包括:

在彩膜基板上由导电高分子聚合物形成公共电极,并在所述公共电极上摩擦形成第一取向层;

在阵列基板上由导电高分子聚合物形成像素电极,并在所述像素电极上摩擦形成第二取向层;

清洗形成了第一取向层的彩膜基板和形成了第二取向层的阵列基板,并将液晶滴注在所述第二取向层的表面;

将清洗后的彩膜基板和阵列基板对盒。

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