[发明专利]一种白钨矿型DyCrO4晶体及其高压合成方法无效

专利信息
申请号: 200810057516.4 申请日: 2008-02-02
公开(公告)号: CN101307492A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 龙有文;杨留响;靳常青 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B29/24;C30B1/12
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 代理人: 尹振启
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 白钨矿 dycro sub 晶体 及其 高压 合成 方法
【权利要求书】:

1、钨矿型DyCrO4晶体,其空间群为四方I41/a,Z=4,晶胞常数为:

2、如权利要求1所述的晶体,其特征在于,所述晶体为单相且为黑色,属于反铁磁绝缘体。

3、一种单相的白钨矿型DyCrO4晶体的制备方法,其特征在于,

将常压下获得的锆石型DyCrO4晶体在一定压力和温度条件下,制备出的白钨矿型DyCrO4晶体;其中,所述的一定压力和温度条件为:压力6GPa-10GPa,温度350℃-450℃,保温时间10-20分钟。

4、如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述一定的压力和温度条件为:压力6GPa-8GPa,温度400℃-450℃,保温时间10-15分钟。

5、如权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,使用前对常压下获得的锆石型DyCrO4晶体在氧气流中,于250-350℃的温度条件下进行5-10小时的热处理。

6、如权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,其具体步骤包括:将称取的锆石型DyCrO4压片,并用金箔或铂箔包裹后,装入叶腊石组块中(如图1所示,其中叶腊石作为传压介质,钢圈和钼片作为导热物质,BN作为导热和传压物质,石墨炉作为加热器),将压力逐渐升高到6-10GPa,等压力稳定后,启动加热装置,把温度升高到350-450℃,同时在该温度和高压下保持10-15分钟,然后充分冷却,再释放压力,获得黑色的单相白钨矿型DyCrO4晶体。

7、如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,压力逐渐升高的速率为1-2GPa/分钟,温度升高的速率为100-200℃/分钟。

8、如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述样品腔内的传压介质为叶腊石。

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