[发明专利]一种白钨矿型DyCrO4晶体及其高压合成方法无效
申请号: | 200810057516.4 | 申请日: | 2008-02-02 |
公开(公告)号: | CN101307492A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 龙有文;杨留响;靳常青 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B29/24;C30B1/12 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 尹振启 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 白钨矿 dycro sub 晶体 及其 高压 合成 方法 | ||
1、钨矿型DyCrO4晶体,其空间群为四方I41/a,Z=4,晶胞常数为:
2、如权利要求1所述的晶体,其特征在于,所述晶体为单相且为黑色,属于反铁磁绝缘体。
3、一种单相的白钨矿型DyCrO4晶体的制备方法,其特征在于,
将常压下获得的锆石型DyCrO4晶体在一定压力和温度条件下,制备出的白钨矿型DyCrO4晶体;其中,所述的一定压力和温度条件为:压力6GPa-10GPa,温度350℃-450℃,保温时间10-20分钟。
4、如权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述一定的压力和温度条件为:压力6GPa-8GPa,温度400℃-450℃,保温时间10-15分钟。
5、如权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,使用前对常压下获得的锆石型DyCrO4晶体在氧气流中,于250-350℃的温度条件下进行5-10小时的热处理。
6、如权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,其具体步骤包括:将称取的锆石型DyCrO4压片,并用金箔或铂箔包裹后,装入叶腊石组块中(如图1所示,其中叶腊石作为传压介质,钢圈和钼片作为导热物质,BN作为导热和传压物质,石墨炉作为加热器),将压力逐渐升高到6-10GPa,等压力稳定后,启动加热装置,把温度升高到350-450℃,同时在该温度和高压下保持10-15分钟,然后充分冷却,再释放压力,获得黑色的单相白钨矿型DyCrO4晶体。
7、如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,压力逐渐升高的速率为1-2GPa/分钟,温度升高的速率为100-200℃/分钟。
8、如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述样品腔内的传压介质为叶腊石。
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