[发明专利]一种反相器内嵌的可控硅

权利要求书

1.一种反相器内嵌的可控硅，包括P型衬底(40)，P型衬底(40)上设有紧密相连的N阱(41)和P阱(49)，其特征在于：由N阱(41)指向P阱(49)的方向，所述的N阱(41)和P阱(49)上依次设有第一N+注入区(42a)、第一P+注入区(44a)、第二P+注入区(44b)、第二N+注入区(42b)、第三N+注入区(42c)和第三P+注入区(44c)，所述的P阱(49)和N阱(41)边界位于第二P+注入区(44b)的下方，第一N+注入区(42a)和第一P+注入区(44b)之间、第三N+注入区(42c)和第三P+注入区(44c)通过浅壕沟(43)隔离，第二P+注入区(44b)和第二N+注入区(42b)紧密相连，第一P+注入区(44a)和第二P+注入区(44b)之间、第二N+注入区(42b)和第三N+注入区(42c)之间的N阱(41)或P阱(49)表面覆有多晶硅层(46a，46b)，P阱(49)或N阱(41)与多晶硅层(46a，46b)通过SiO₂氧化层(45a，45b)隔离。

2.根据权利要求1所述的可控硅，其特征在于：所述的N阱(41)和P阱(49)非紧密连接的两端分别设有浅壕沟(43)。

3.根据权利要求1所述的可控硅在集成电路中的应用，其特征在于：第二P+注入区(44b)和第二N+注入区(42b)用金属线连接，第一P+注入区(44a)和第二P+注入区(44b)之间的多晶硅层(46a)与第二N+注入区(42b)和第三N+注入区(42c)之间的多晶硅层(46b)之间同样用金属线连接，连接两个多晶硅层(46a，46b)的金属线中间引出两条支线，一条支线通过电阻(47)连接电学阳极，另一条支线通过电容(48)连接电学阴极，第一N+注入区(42a)和第一P+注入区(44a)直接连接电学阳极，第三N+注入区(42c)和第三P+注入区(44c)直接连接电学阴极。