[发明专利]一种薄膜残余应力成分的分析装置无效
申请号: | 200810061635.7 | 申请日: | 2008-05-20 |
公开(公告)号: | CN101285772A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | 章岳光;陈为兰;沈伟东;王颖;顾培夫;黄文彪 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G01N21/45 | 分类号: | G01N21/45;G01N25/00;G01N19/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 残余 应力 成分 分析 装置 | ||
1.一种薄膜残余应力成分的分析装置,其特征在于包括继电器式温度控制仪(1)、加热片驱动电路(2)、基板夹具(3)、干涉仪(4)、计算机(5),继电器式温度控制仪(1)依次与加热片驱动电路(2)、基板夹具(3)、干涉仪(4)、计算机(5)相连接,基板夹具(3)包括第一铜片(6)、第二铜片(7)、铝片(8)、铁夹片(9)、样品固定圆孔(10)、热电阻(11)、MCH加热片(12),第一铜片(6)背面固定有热电阻(11)和两片MCH加热片(12),第一铜片(6)两侧设有固定凹槽,第二铜片(7)插入第一铜片(6)两侧设有的固定凹槽内,第二铜片(7)上端两侧固定有两片铁夹片(9),在两片铁夹片(9)上夹有铝片(8),铝片(8)上开有样品固定圆孔(10)。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜残余应力成分的分析装置,其特征在于所述的加热片驱动电路(2)为:第一电阻R1经第一电容C1、第二二极管D2、第二电阻R2、第三电阻R3、LED(21)接地,第二二极管D2正极经稳压管D1接地,第二二极管D2负极经第二电容C2接地,比较器正极经第六电阻R6、第五电阻R5、第一可调电阻W1、第四电阻R4、第二可调电阻W2接电源,比较器负极经第八电阻R8、第二电阻R2、第二二极管D2、第一电容C1、第一电阻R1、二极管Q1接加热片(12),比较器的输出经U2接到加热片(12),加热片(12)经第三二极管D3接地。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜残余应力成分的分析装置,其特征在于所述的干涉仪(4)为激光器(13)发出的光束经光束扩束器(14)到达分光镜(17),分成二束光,第一束光被反射且经过PZT传感器(15)被反射后再次经过分光镜(17)到达透镜(18),而第二束光则透过分光镜(17)、透镜(18)到达被测样品(20)后被反射与第一束光发生干涉,干涉图样被CCD(19)采集。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜残余应力成分的分析装置,其特征在于所述的基板夹具(3)外面套有高温棉隔热层。
5.根据权利要求1所述的一种薄膜残余应力成分的分析装置,其特征在于所述的基板夹具(3)底部设有垂直调节装置。
6.根据权利要求5所述的一种薄膜残余应力成分的分析装置,其特征在于所述的垂直调节装置由两个螺钉和一个微调底座组成。
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